龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日：2019-03-07
公开（公告）日：2023-10-27
公开（公告）号：CN111668366B
主分类号：H10N50/01
分类号：H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00;G11C11/16
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2023.10.27#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开
摘要：本发明公开了一种磁性随机存储器顶电极接触的形成方法,包括如下步骤：步骤1：提供表面抛光的带金属通孔Vxx≥1的CMOS基底；步骤2：在经过平坦化处理之后的基底上，沉积底电极、磁性隧道结和顶电极膜层，然后进行磁性隧道结存储单元的制备；步骤3：沉积顶电极接触电介质，图形化定义顶电极接触图案，并对其进行刻蚀和非Cu填充以形成顶电极接触；步骤4：制作金属位线连接。本发明有效的增加TEC的面积，相对于TEV，本发明中的TEC结构，在降低高度的同时也增加了面积，TE的BL之间的欧姆接触电阻将会降低，非常有利于器件性能的提升。
主权项：1.一种磁性随机存储器顶电极接触的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：提供表面抛光的带金属通孔Vx的CMOS基底，x≥1；步骤2：在经过平坦化处理之后的基底上，沉积底电极、磁性隧道结和顶电极膜层，然后进行磁性隧道结存储单元的制备；所述步骤2包括：进行底电极、磁性隧道结和顶电极多层膜的沉积；图形化定义磁性隧道结图案，并对顶电极、磁性隧道结和底电极进行刻蚀，然后沉积一层绝缘覆盖层在磁性隧道结存储单元的周围；沉积磁性隧道结电介质，并对其进行平坦化处理；调整所述平坦化处理的参数来调整磨平界面到顶电极顶部的距离d；在所述平坦化处理后，在顶电极顶部保留绝缘覆盖层和少量的磁性隧道结电介质；对顶电极顶部的磁性隧道结电介质和绝缘覆盖层进行平坦化处理，直到部分剩余的顶电极被移除；步骤3：沉积顶电极接触电介质，图形化定义顶电极接触图案，并对其进行刻蚀和非Cu填充以形成顶电极接触；控制所述顶电极接触电介质刻蚀的深度d’,停止在顶电极的顶部或维持部分过刻蚀使部分剩余的顶电极被刻蚀掉以增加顶电极和所述顶电极接触的欧姆接触面积；步骤4：制作金属位线连接，所述金属位线与所述顶电极接触直接相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海磁宇信息科技有限公司 一种磁性随机存储器顶电极接触及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号