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申请/专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

摘要：一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法,涉及化合物半导体晶体生长领域，尤其是一种大尺寸VB法和VGF法生长III‑V族单晶生长的一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法。本发明的一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法，其特征在于该装料装置包括上平台、支撑杆、下平台，上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，上平台与下平台相对平行设置，支撑杆设置在上平台与下平台之间，上坩埚与下坩埚从上至下放置，石英安瓿瓶安装在下坩埚上。本发明的VGF法砷化镓的装料装置及装料方法，不但能实现大尺寸、质量多的装料难题，而且装料过程简单、快捷，不管是单晶率还是位错均优于传统装料方法。

主权项：1.一种VGF法砷化镓的装料装置及装料方法，其特征在于该装料装置包括上平台、支撑杆、下平台，上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，上平台与下平台相对平行设置，支撑杆设置在上平台与下平台之间，上坩埚与下坩埚从上至下放置，石英安瓿瓶安装在下坩埚上；装料方法是采用锥形料、圆饼料和梯型料在上平台与上搭成倒金字塔结构，并把上坩埚倒扣，将装料装置其转正，包括以下步骤：S1，异型料加工：将多晶料和循环料切割打磨，得到锥形标准件I、锥形标准件II、锥台标准件I、锥台标准件II，梯形搭桥料、砷化镓销钉以及梯形料；S2，装料的支撑装置组装：将上平台与下平台用支撑杆连接固定；S3，下坩埚装料：先将圆饼料居中放在上平台上，然后在圆饼料上叠放带有多个小孔的锥台标准件I，将四根砷化镓销钉分别插入锥台标准件I的小孔中，将梯形搭桥料倒扣在带有销钉锥形台上，使梯形搭桥料和锥台标准件通过四根砷化镓销钉固定在一起，形成稳定的搭桥结构，在搭桥结构的两侧分别放入砷颗粒和三氧化二硼；之后将锥形标准件II和锥形标准件I从下至上依次堆叠在搭桥结构上，形成倒金字塔结构；下坩埚从上往下扣在倒金字塔结构上，稳固后将下坩埚及金字塔结构转正；然后在圆饼料上放入数块梯形料；最后将籽晶插入下坩埚底部的坩埚小嘴，并用堵头封堵，之后放入石英安瓿瓶中；S4，上坩埚装料：将圆饼料居中放在上平台上，锥台标准件II叠在圆饼料上，上坩埚从上往下扣在倒金字塔结构上，稳固后将上坩埚及金字塔结构转正；再在圆饼料上放入多块梯形料，最后将上坩埚放入石英安瓿瓶中，且位于下坩埚上方；石英安瓿瓶装完料以后，对其抽真空，之后烘烤，然后利用氢氧焰进行封管；之后经过装炉、化料、单晶生长和冷却后，开炉取出晶体，放入热甲醇中浸泡，使砷化镓晶体与上坩埚及下坩埚分离，晶体脱模后将晶棒头尾切割取测试片，对晶体位错采用金相显微镜100倍下测试计算位错。

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