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申请/专利权人：宁波希磁电子科技有限公司
申请日：2019-09-10
公开（公告）日：2024-01-19
公开（公告）号：CN110455319B
主分类号：G01D5/16
分类号：G01D5/16;G01D3/036
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.01.19#授权;2019.12.10#实质审查的生效;2019.11.15#公开
摘要：本发明提供一种xMR传感器温度补偿电路，包括稳压芯片U1、电阻R1、R2，还包括至少一个肖特基二极管；肖特基二极管具有负温度系数；稳压芯片U1的输入端用于接直流输入电压VIN，稳压芯片U1的输出端接R1一端并输出直流输出电压Vs，Vs作为xMR传感器芯片的供电电压；电阻R1的另一端接稳压芯片U1的电压调节端；在稳压芯片U1的电压调节端与电阻R2一端之间至少接一个正向的肖特基二极管；电阻R2的另一端接地。本发明根据温度变化实时改变xMR传感器芯片的供电电压实现温度补偿；极大地提高了xMR传感器检测精度。
主权项：1.一种xMR传感器温度补偿电路，包括稳压芯片U1、电阻R1、R2，其特征在于，还包括至少一个肖特基二极管；肖特基二极管具有负温度系数；稳压芯片U1的输入端用于接直流输入电压VIN，稳压芯片U1的输出端接R1一端并输出直流输出电压Vs，Vs作为xMR传感器芯片的供电电压；电阻R1的另一端接稳压芯片U1的电压调节端；在稳压芯片U1的电压调节端与电阻R2一端之间至少接一个正向的肖特基二极管；电阻R2的另一端接地；所述xMR传感器温度补偿电路根据温度变化实时改变xMR传感器芯片的供电电压实现温度补偿；整体xMR传感器的灵敏度如公式1：ST＝VSST01+aT-T01其中，T为温度，T0为参考温度，ST为整体xMR传感器灵敏度，ST0为温度T0时的灵敏度，Vs为xMR传感器芯片供电电压，aa0为xMR传感器灵敏度的温度变化系数；xMR传感器芯片供电电压如公式2： 其中，VREF为参考电压，即稳压芯片U1电压调节端的电压；R1和R2分别是电阻R1、R2的阻值；RD是肖特基二极管的电阻之和。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁波希磁电子科技有限公司 xMR传感器温度补偿电路和补偿方法
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