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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：一种漏极编程只读存储器包括扩散区，该扩散区跨越位单元的宽度，并且形成第一晶体管和第二晶体管的漏极。邻近该扩散区的金属层中的位线引线跨该位单元的宽度延伸。第一通孔从该位线引线的上半部延伸，并且耦合到该第一晶体管的漏极。类似地，第二通孔从该位线的下半部延伸，并且耦合到该第二晶体管的漏极。
主权项：1.一种只读存储器，所述只读存储器包括：半导体基板，所述半导体基板包括扩散区，所述扩散区被配置为形成第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极；金属层，所述金属层邻近所述扩散区，所述金属层被配置为包括位线引线，所述位线引线跨所述扩散区延伸；第一漏极通孔，所述第一漏极通孔位于所述位线引线的上半部内，所述第一漏极通孔被配置为从所述位线引线的所述上半部耦合到所述第一晶体管的所述漏极；和第二漏极通孔，所述第二漏极通孔位于所述位线引线的下半部内，所述第二漏极通孔被配置为从所述位线引线的所述下半部耦合到所述第二晶体管的所述漏极。
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百度查询： 高通股份有限公司 低泄漏漏极编程ROM
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