申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-07-13

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117859197A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;C30B25/16;H01L21/02;H01L21/3065;C30B29/06

优先权：["20211209 US 17/546,769"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：描述了一种用于校正处理腔室内的温度的方法及设备。该方法包括确定该处理腔室内的层的蚀刻速率。该处理腔室为被配置为在半导体制造期间使用的沉积腔室。该蚀刻速率被用于确定该处理腔室内的温度。随后将该处理腔室内的该温度与校正温度进行比较以确定温度偏移。该蚀刻速率是使用高温计、反射计、照相机或质量传感器中的任何一者来确定的。

主权项：1.一种校正处理腔室的温度的方法，适用于半导体制造，所述方法包含以下步骤：进行第一程序，所述第一程序包含以下操作：a在处理容积处于第一压力的同时使气体流入所述处理容积；b将所述处理容积内的基板支撑件的温度设置为第一温度；c使用所述气体在所述基板支撑件上沉积膜的第一层，所述第一层具有第一厚度；d在所述第一温度下从所述基板支撑件蚀刻所述膜的所述第一层；e确定在所述第一温度下蚀刻所述第一层的蚀刻速率；及f将与所述第一温度有关的所述蚀刻速率储存为第一温度蚀刻速率；在不同于所述第一温度的第二温度下重复操作a-f中的每一者，以获得第二温度蚀刻速率；至少根据所述第一温度蚀刻速率及所述第二温度蚀刻速率确定测量温度曲线；及将所述测量温度曲线与校正温度曲线进行比较。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 沉积与蚀刻处理的温度校正

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