申请/专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2021-06-28
公开(公告)日:2024-04-23
公开(公告)号:CN113506756B
主分类号:H01L21/66
分类号:H01L21/66;H01L29/792
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.23#授权;2021.11.02#实质审查的生效;2021.10.15#公开
摘要:本发明公开了一种ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法:步骤一,ONO层生长,完成后整体的ONO层厚度为原目标厚度值+d;步骤二,湿法清洗步骤,目标刻蚀量为c;步骤三,测量ONO层的整体厚度,ONO层厚度测量值为b;步骤四,根据步骤三中计算出的刻蚀最终目标值选择相应的栅氧化层生长前的清洗工艺,栅氧化层生长前清洗工艺的刻蚀量=b‑最终ONO膜厚目标值;步骤五,栅氧化层生长;步骤六,生长制作栅极的多晶硅层。本发明针对ONO层中最顶层的HTO氧化层的工艺参数进行调整,在淀积形成ONO层时使形成的最顶层的HTO氧化层的实际厚度比设计目标厚度略高一些,减小淀积厚度误差以及清洗、湿法刻蚀误差所累积带来的误差问题。
主权项:1.一种ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法,其特征在于:在进行ONO工艺时,顶层氧化层实际生长的厚度比设计厚度目标值增加厚度d;即:步骤一,ONO层生长,完成后整体的ONO层厚度为原目标厚度值+d;步骤二,湿法清洗步骤,目标刻蚀量为c;步骤三,测量ONO层的整体厚度,ONO层厚度测量值为b;步骤四,计算最终ONO膜厚目标值,所述最终ONO膜厚目标值=原目标厚度值-目标刻蚀量c-preGOXclean目标值;然后确定实际的栅氧化层生长前的清洗工艺刻蚀量;所述的栅氧化层生长前的清洗工艺刻蚀量=b-最终ONO膜厚目标值;按得到的栅氧化层生长前的清洗工艺刻蚀量进行栅氧化层生长前的清洗工艺,修正ONO膜厚得到正确的膜厚;步骤五,栅氧化层生长;步骤六,生长制作栅极的多晶硅层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海华虹宏力半导体制造有限公司 ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法
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