申请/专利权人：中环新能(安徽)先进电池制造有限公司

申请日：2023-07-28

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN220829963U

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权

摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种钝化复合功能层和TOPCon电池；复合功能层内穿设有金属电极，所述复合功能层包括氧化铝钝化层、隧穿氧化层、掺杂多晶硅层和多个掺杂BSF层，复合钝化层包括氧化铝钝化层、复合层和多个掺杂BSF层，多个掺杂BSF层并排间隔设置设于硅基体的背面，形成穿透空间，多个掺杂BSF层的背面设有复合层；隧穿氧化层设于掺杂BSF层的背面，氧化铝钝化层设于隧穿氧化层的背面，掺杂多晶硅层设于氧化铝钝化层和隧穿氧化层之间，金属电极穿设氧化铝钝化层设置，金属电极的一端插入掺杂多晶硅层内；通过上述复合功能层，可以在不影响电池效率的前提下有效的降低多晶硅对光的寄生吸收，提高太阳能电池的电池效率。

主权项：1.一种钝化复合功能层，所述复合功能层覆盖在硅基体1的背面，所述复合功能层内穿设有金属电极7，其特征在于，所述复合功能层包括氧化铝钝化层5、复合层和多个掺杂BSF层8，所述复合功能层还包括氧化铝钝化层5、隧穿氧化层3、掺杂多晶硅层4和多个掺杂BSF层8，多个所述掺杂BSF层8并排设于所述硅基体1的背面，多个所述掺杂BSF层8之间间隔设置，以形成穿透空间，多个所述掺杂BSF层8的背面设有所述复合层；所述隧穿氧化层3设于所述掺杂BSF层8的背面，所述氧化铝钝化层5设于所述隧穿氧化层3的背面，所述掺杂多晶硅层4设于所述氧化铝钝化层5和所述隧穿氧化层3之间，所述金属电极7穿设所述氧化铝钝化层5设置，所述金属电极7的一端插入所述掺杂多晶硅层4内。

全文数据：

权利要求：

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