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申请/专利权人：常州比太科技有限公司
申请日：2024-03-07
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117936651A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0747
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本发明属于太阳电池制备技术领域，具体涉及一种HJT电池丝网固化后光注入提效方法，包括如下步骤：S1:取第二硅片，对第二硅片进行ITO导电膜层沉积；S12：对第二硅片进行丝网固化；S121:将所第二硅片放入第二光注入设备，其中，第二光注入设备设置有一对光源；S122:打开第二光注入设备的电源，对第二硅片进行双面光注入，然后制备成第二HJT电池片；S2:对第二HJT电池片进行效率测试；通过第二光注入设备对ITO工艺后的第二硅片进行双面光注入，对第二HJT电池片的电性能检测。相较于单面光注入的第一HJT电池片，第二HJT电池片的串阻下降，电池片的填充明显上升，第二电池片的效率提高0.1%，从而达到了提升电池片效率的目的。
主权项：1.一种HJT电池丝网固化后光注入提效方法，其特征在于，包括如下步骤：S1:取第一硅片和第二硅片，对所述第一硅片和所述第二硅片上进行ITO导电膜层沉积，所述导电膜层厚度为60-140nm；S11:对所述第一硅片进行丝网固化；S111：将所述第一硅片放入第一光注入设备，其中，所述第一光注入设备设置有单个光源和翻面装置；S112：打开所述第一光注入设备的电源，对所述第一硅片进行单面光注入，然后制备成第一HJT电池片；S113：打开所述第一光注入设备的电源，对所述第一硅片进行光注入，启动翻面装置，将硅片翻面，对第一硅片的背面进行光注入，实现硅片的双面光注入，制备成第一HJT电池片；S12：对所述第二硅片进行丝网固化；S121:将所述第二硅片放入第二光注入设备，其中，所述第二光注入设备设置有一对光源；S122:打开所述第二光注入设备的电源，对所述第二硅片进行双面光注入，然后制备成第二HJT电池片；S2:对所述第一HJT电池片和所述第二HJT电池片进行效率测试。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州比太科技有限公司 一种HJT电池丝网固化后光注入提效方法
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