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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日：2022-02-16
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN114552377B
主分类号：H01S5/065
分类号：H01S5/065;H01S5/026
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.06.14#实质审查的生效;2022.05.27#公开
摘要：本发明涉及一种基于异构集成的单向注入锁定半导体激光器，包括硅基微环芯片，所述硅基微环芯片上设有直通硅波导和微环，所述硅基微环芯片上对应直通硅波导两端的位置处分别键合有主激光器芯片和从激光器芯片，所述直通硅波导的两端分别与主激光器芯片和从激光器芯片耦合；所述微环位于直通硅波导的一侧，所述微环的上方键合有磁光芯片，所述磁光芯片用于在通电时产生磁场使微环出现非互易相移特性。本发明中，利用电磁场作用下微环结构的非互易相移特性实现主从激光器之间光隔离功能，实现异构集成单芯片单向光注入锁定激光器，解决了目前单向注入锁定激光器耦合难、效率低、封装成本高、体积大等难题。
主权项：1.一种基于异构集成的单向注入锁定半导体激光器，其特征在于，包括硅基微环芯片，所述硅基微环芯片上设有直通硅波导和微环，所述硅基微环芯片上对应直通硅波导两端的位置处分别键合有主激光器芯片和从激光器芯片，所述直通硅波导的两端分别与主激光器芯片和从激光器芯片耦合；所述微环位于直通硅波导的一侧，所述微环的上方键合有磁光芯片，所述磁光芯片用于在通电时产生磁场使微环出现非互易相移特性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 基于异构集成的单向注入锁定半导体激光器
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