申请/专利权人:浙江集迈科微电子有限公司
申请日:2020-08-24
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN111952196B
主分类号:H01L21/48
分类号:H01L21/48;H01L21/52
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.26#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开
摘要:本发明提供一种凹槽芯片嵌入工艺,包括以下步骤:a、提供衬底,在衬底正面刻蚀不同深度的TSV,电镀使金属填满TSV,抛光去除衬底正面金属,在衬底正面制作RDL和焊盘,对衬底正面做临时键合,衬底背面做减薄使长的TSV背部露头,得到第一衬底;b、在第一衬底背面刻蚀空腔,使短的TSV底部露出,沉积钝化层,表面涂布光刻胶,曝光显影使TSV底部露出,刻蚀钝化层使TSV底部金属露出;c、在空腔内嵌入芯片,填充芯片和空腔的缝隙,在芯片表面制作RDL和焊盘,得到最终结构。本发明的凹槽芯片嵌入工艺,通过光刻胶来保护空腔底部的方式,用刻蚀工艺对空腔底部TSV进行开口,能避免整面刻蚀对空腔底部钝化层的损伤,有利于TSV底部的钝化层开口,破坏空腔底部钝化层。
主权项:1.一种凹槽芯片嵌入工艺,其特征在于,包括以下步骤:a、提供衬底,在衬底正面刻蚀不同深度的TSV,电镀使金属填满TSV,抛光去除衬底正面金属,在衬底正面制作RDL和焊盘,对衬底正面做临时键合,衬底背面做减薄使长的TSV底部露出,得到第一衬底;b、在第一衬底背面刻蚀空腔,使短的TSV底部露出,沉积钝化层,表面涂布光刻胶,曝光显影使TSV底部露出,刻蚀钝化层使TSV底部金属露出;c、在空腔内嵌入芯片,填充芯片和空腔的缝隙,在芯片表面制作RDL和焊盘,得到最终结构;步骤(b)的具体步骤为:(b1)通过光刻和干法刻蚀的方式在第一衬底背面刻蚀空腔,使短的TSV底部露出;通过干法刻蚀或者湿法腐蚀TSV底部钝化层,使金属露出;(b2)沉积钝化层,表面涂布光刻胶,曝光显影使TSV底部露出,刻蚀钝化层使TSV底部金属露出;(b3)去除光刻胶,清洗衬底,解键合;或者步骤(b)的具体步骤为:(b1)通过光刻和干法刻蚀的方式在第一衬底背面刻蚀空腔,使短的TSV底部露出;通过干法刻蚀或者湿法腐蚀TSV底部钝化层,使金属露出;(b2)沉积钝化层和金属层;(b3)表面涂布光刻胶,曝光显影使TSV底部露出,刻蚀金属层和钝化层使TSV底部金属露出;或者步骤(b)的具体步骤为:(b1)通过光刻和干法刻蚀在第一衬底背面刻蚀空腔,使短的TSV底部露出;通过干法刻蚀或者湿法腐蚀TSV底部钝化层,使金属露出;(b2)沉积钝化层;(b3)通过干法或湿法刻蚀使空腔底部TSV侧壁露出金属;所述步骤(a)的具体步骤为:(a1)通过光刻和刻蚀工艺在衬底正面制作不同深度的TSV;(a2)在衬底正面沉积绝缘层,在绝缘层上制作种子层;(a3)电镀铜,使铜金属充满TSV,去除衬底表面铜,使衬底表面只剩下填铜;(a4)通过光刻和电镀的工艺在衬底正面制作RDL和焊盘;(a5)对衬底正面做临时键合,然后减薄衬底背面,使TSV底部露出,在背面做钝化层,抛光使TSV底部金属露出,然后制作RDL和焊盘,得到第一衬底。
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