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申请/专利权人：北京工业大学
申请日：2024-03-20
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117995914A
主分类号：H01L29/872
分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/329
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本发明涉及一种具有凹槽阳极的准垂直结构GaN基SBD及其制备方法。GaN基SBD包括：外延片；阴极电极，设置于暴露出的N+‑GaN层上；阳极电极，包括凹槽阳极和场板金属的第一部分，凹槽阳极设置于自台面结构上表面向下刻蚀掉一部分N‑‑GaN形成的、面积小于台面结构上表面的阳极凹槽内，场板金属的第一部分覆盖于凹槽阳极上；钝化层，设置于台面结构的侧壁上和未被刻蚀的上表面上。其中，钝化层和场板金属的第二部分共同构成场板结构，场板金属的第二部分覆盖至少一部分钝化层。依据本发明的GaN基SBD通过在台面表面刻蚀一部分N‑‑GaN层形成的凹槽阳极来提高准垂直结构SBD器件的反向击穿电压、改善反向电学特性。
主权项：1.一种具有凹槽阳极的准垂直结构GaN基SBD，其特征在于，包括：外延片101，包括自下而上依次层叠的衬底1011、缓冲层1012、N+-GaN层1013和N--GaN层1014，其中，在所述外延片101上刻蚀N--GaN层1014的一部分直至暴露出N+-GaN层1013，以使保留的N--GaN层1014区域形成台面结构；阴极电极102，设置于暴露出的N+-GaN层1013上；阳极电极106，包括凹槽阳极1061和场板金属1062的第一部分，所述凹槽阳极1061设置于自所述台面结构上表面向下刻蚀掉一部分N--GaN形成的、面积小于所述台面结构上表面的阳极凹槽内，所述场板金属1062的第一部分覆盖于所述凹槽阳极1061上；以及钝化层103，设置于所述台面结构的侧壁上和未被刻蚀的N--GaN层1014的上表面上；其中，所述钝化层103和所述场板金属1062的第二部分共同构成场板结构，所述场板金属1062的第二部分覆盖至少一部分所述钝化层103。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种具有凹槽阳极的准垂直结构GaN基SBD及其制备方法
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