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申请/专利权人：沈阳工业大学
申请日：2023-12-31
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117985760A
主分类号：C01G41/00
分类号：C01G41/00;C01G41/02;B82Y40/00;B82Y30/00;G01N27/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本发明涉及一种贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料及其制备方法，贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料是由In0.02WO3与WO3复合而成，在贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料中存在着许多由钨和氧原子间间隙组成的隧道，铟离子在隧道中心位置两侧随机分布。方法：步骤一、营造过饱和硫酸钠溶液环境；步骤二、在步骤一所得过饱和硫酸钠溶液环境中，加入硝酸铟，加入NH4Cl水热反应；步骤三、离心；步骤四、将钨酸钠、草酸和氯化铵依次加入到去离子水中，滴入HCL，加入步骤三的产物水热反应，离心并洗涤，最终制得贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料。本发明材料对丙酮气体的灵敏度高，工作温度低。
主权项：1.一种贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料，其特征在于：贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料是由In0.02WO3与WO3复合而成，在贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料中存在着许多由钨和氧原子间间隙组成的隧道，铟离子在隧道中心位置两侧随机分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 沈阳工业大学 一种贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料及其制备方法
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