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申请/专利权人：珠海创飞芯科技有限公司
申请日：2024-03-06
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117995243A
主分类号：G11C16/06
分类号：G11C16/06;G11C16/24;G11C11/41;G11C11/415;G11C11/416;G11C11/413
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本申请公开了一种eflash位线驱动电路以及存储芯片，可用于半导体技术领域，该电路包括第一PMOS管、第二PMOS管以及6管静态随机存取存储器SRAM；第一PMOS管的源极连接数字电压电源；第二PMOS管的源极连接第一电压电源；6管静态随机存取存储器SRAM包括两个源极相连的PMOS管，第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极均连接6管静态随机存取存储器SRAM中PMOS管的源极。由此，本申请实施例提供的eflash位线驱动电路可以同时实现SRAM和levelshifter的功能，能够有效减小版图面积，从而使存储芯片的面积得以减小。
主权项：1.一种eflash位线驱动电路，其特征在于，所述电路包括第一PMOS管、第二PMOS管以及6管静态随机存取存储器SRAM；所述第一PMOS管的源极连接数字电压电源；所述第二PMOS管的源极连接第一电压电源；所述第一电压电源提供的电压大于所述数字电压电源提供的电压；所述6管静态随机存取存储器SRAM包括两个源极相连的PMOS管，所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极均连接所述6管静态随机存取存储器SRAM中PMOS管的源极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海创飞芯科技有限公司 一种eflash位线驱动电路及存储芯片
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