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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日：2022-11-04
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235535A
主分类号：H10B51/30
分类号：H10B51/30;G11C11/22;H01L29/786
优先权：["20211118 JP 2021-188016"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：提供一种具有新颖的结构的存储元件。存储元件层叠有第一电极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层及第二电极，并且第一电极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层及第二电极各自具有彼此重叠的区域。作为半导体层使用金属氧化物之一的氧化物半导体。作为第一绝缘层使用具有反铁电性的材料。
主权项：1.一种存储元件，包括：具有隔着第一绝缘层与半导体层重叠的区域的第一电极；以及具有隔着第二绝缘层与所述半导体层重叠的区域的第二电极，其中，所述第一电极及所述第二电极具有隔着所述第一绝缘层、所述半导体层及所述第二绝缘层彼此重叠的区域，所述半导体层包括氧化物半导体，并且，所述第一绝缘层具有反铁电性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 存储元件及存储装置
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