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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
申请日：2020-06-12
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113809044B
主分类号：H01L23/528
分类号：H01L23/528
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开
摘要：本发明公开一种半导体元件。半导体元件包括基板，有硅层在顶部。元件结构设置在所述基板上。介电层设置在基板上，且覆盖过元件结构。所述介电层有第一空气间隙在所述元件结构上方，所述第一空气间隙是由构成所述介电层的一部分的介电质壁所围绕，并且所述介电质壁是设置在所述元件结构上。所述介电层有第二空气间隙，暴露所述元件结构的顶部且相邻所述介电质壁。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包括:基板，有硅层在顶部；元件结构，设置在所述基板上；以及介电层，设置在基板上，且覆盖过元件结构，其中所述介电层有第一空气间隙在所述元件结构上方，所述第一空气间隙是由构成所述介电层的一部分的介电质壁所围绕，并且所述介电质壁是设置在所述元件结构上，其中所述介电层有第二空气间隙，暴露所述元件结构的顶部且相邻所述介电质壁，且其中所述介电层包括第一内层介电层，设置在所述基板上且围绕所述元件结构，提供所述介电质壁的第一部分，而该第一部分的底部构成第一空气间隙的底部的一部分，且所述介电质壁的所述底部的外侧是被所述第二空气间隙暴露。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体元件
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