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申请/专利权人：SPTS科技有限公司
申请日：2023-08-31
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231242A
主分类号：H01L21/3065
分类号：H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/683;H01J37/20;H01J37/32;H01J37/04
优先权：["20221221 GB 2219448.4"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请涉及一种用于等离子体蚀刻介电衬底的方法及设备。
主权项：1.一种等离子体蚀刻工件的方法，所述方法包括：将工件定位在等离子体腔室内的衬底支撑件上，其中所述工件包括介电衬底及位于所述介电衬底上的至少一个半导体层，且所述衬底支撑件包括静电卡盘“ESC”，所述ESC包括至少两个电极；在第一双极操作模式中，将正电压施加到所述电极中的一者并将负电压施加到所述电极中的另一者，使得所述工件被静电夹紧到所述ESC；通过在所述等离子体腔室中产生等离子体而等离子体蚀刻所述至少一个半导体层，其中，在所述等离子体被点燃之后的一段时间，将所述ESC的所述操作切换到单极操作模式，在所述单极操作模式中，所述电极具有施加到每一电极的相同电压；及将所述ESC的所述操作切换到第二双极操作模式，在所述第二双极操作模式中，将正电压施加到所述电极中的一者并将负电压施加到所述电极中的另一者。
全文数据：
权利要求：
百度查询： SPTS科技有限公司 用于等离子体蚀刻介电衬底的方法及设备
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