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申请/专利权人：细美事有限公司
申请日：2023-12-11
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231287A
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;H01L21/677
优先权：["20221220 KR 10-2022-0179760"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：提供了一种布置在对半导体衬底执行烘烤工艺或显影工艺的设施中的用于临界尺寸CD测量和CD校准的衬底处理装置、以及包括该衬底处理装置的半导体制造设备。该半导体制造设备包括：装载端口，其中安装有装载有多个衬底的容器；缓冲模块，暂时地存储衬底；索引模块，在装载端口和缓冲模块之间传送衬底；多个工艺腔室，对衬底进行处理；传送模块，在缓冲模块和工艺腔室之间传送衬底；以及衬底处理装置，对衬底执行CD测量和CD校准，其中，该衬底处理装置被设置为与工艺腔室相邻。
主权项：1.一种半导体制造设备，包括：装载端口，其中安装有装载有多个衬底的容器；缓冲模块，暂时地存储衬底；索引模块，在所述装载端口和所述缓冲模块之间传送所述衬底；多个工艺腔室，对所述衬底进行处理；传送模块，在所述缓冲模块和所述工艺腔室之间传送所述衬底；以及衬底处理装置，对所述衬底执行临界尺寸CD测量和CD校准，其中，所述衬底处理装置被设置为与所述工艺腔室相邻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 细美事有限公司 衬底处理装置和包括该衬底处理装置的半导体制造设备
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