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申请/专利权人：索泰克公司
申请日：2019-03-13
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN111868914B
主分类号：H01L21/76
分类号：H01L21/76;H01L21/02;H01L21/762
优先权：["20180330 FR 1852795"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.02.12#实质审查的生效;2020.10.30#公开
摘要：本发明涉及一种用于射频微电子器件的衬底，该衬底包括由半导体制成的载体衬底，其特征在于，该衬底包括置于载体衬底上并由至少第一电介质和不同于第一电介质的第二电介质的粉末形成的烧结复合层，所述烧结复合层具有大于5微米的厚度和与载体衬底的热膨胀系数相匹配的热膨胀系数，为±30％以内。
主权项：1.一种用于射频微电子器件的衬底10，其包括：由半导体制成的载体衬底1，烧结复合层2，所述烧结复合层2置于所述载体衬底1上并且由至少第一电介质和不同于所述第一电介质的第二电介质的粉末形成，所述烧结复合层2的厚度大于5微米且小于等于100微米并且热膨胀系数与所述载体衬底1的热膨胀系数相匹配，为±30%以内，置于所述烧结复合层2上的中间层4，和置于所述中间层4上的有用层5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索泰克公司 用于射频应用的衬底及相关制造方法
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皖公网安备 34010402703815号