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申请/专利权人：贺州学院
摘要：本发明公开了一种PZT‑CZ异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。本发明通过将PZT前驱体溶液旋涂Pt111TiO2SiO2Si100衬底上制得PZT湿膜；所得PZT湿膜通过干燥、热解、退火制得一层PZT薄膜；重复前面步骤，制得多层PZT薄膜；将CZ前驱体溶液旋涂于所得的多层PZT薄膜上制得CZ湿膜；所得CZ湿膜通过干燥、热解、退火制得一层CZ薄膜；重复前面步骤，制得多层CZ薄膜；将PZT前驱体溶液旋涂于所得的多层CZ薄膜上制得PZT湿膜；将所得PZT湿膜通过干燥、热解、退火制得到一层PZT薄膜；重复前面步骤，制得多层PZT薄膜。本发明的有益效果是：即获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、损耗低、抗击穿电场高等优点的薄膜。本发明制备方法与制备过程简单、可控性强、制备周期短、成本低廉,是一种方便快捷的制备技术。
主权项：1.一种PZT-CZ异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法,其特征在于，所述方法包括以下步骤：1将PZT前驱体溶液旋涂于Pt衬底上制得PZT湿膜；2将步骤1所得PZT湿膜通过干燥、热解、退火制得一层PZT薄膜；3重复步骤1和步骤2，制得多层PZT薄膜；4将CZ前驱体溶液旋涂于所得的多层PZT薄膜上制得CZ湿膜；5将步骤4所得CZ湿膜干燥、热解、退火制得到一层CZ薄膜；6重复步骤4和步骤5，制得多层CZ薄膜；7将PZT前驱体溶液旋涂于多层CZ薄膜上制得PZT湿膜；8将步骤7所得PZT湿膜通过干燥、热解、退火制得一层PZT薄膜；9重复步骤7和步骤8，制得多层PZT薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 贺州学院 一种PZT-CZ异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法
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