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【发明公布】CMT零陷展宽旁瓣对消的分布式干扰优化布阵方法_西安电子科技大学_202410344954.8 

申请/专利权人:西安电子科技大学

申请日:2024-03-25

公开(公告)日:2024-05-14

公开(公告)号:CN118033559A

主分类号:G01S7/38

分类号:G01S7/38

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开

摘要:本发明公开了一种对CMT零陷展宽旁瓣对消的分布式干扰优化布阵方法,主要解决现有未进行优化布阵的干扰方法消耗干扰资源多,干扰利用率低的问题。其实现方案为:初始化雷达端基本参数;干扰端选用噪声压制干扰对雷达的CMT零陷展宽旁瓣对消进行干扰;计算雷达端CMT零陷展宽旁瓣对消处理后的输出;定义干扰端优化目标适应度函数;使用PSO算法优化目标适应度函数得到干扰端最佳的干扰布阵位置;干扰机从初始布阵位置飞到最佳干扰布阵位置对雷达的CMT零陷展宽旁瓣对消进行干扰。相比于现有未进行优化布阵的干扰方法,本发明能实现对雷达CMT零陷展宽旁瓣对消的有效干扰,并减少干扰资源,提高干扰利用率,可用于对CMT零陷展宽旁瓣对消。

主权项:1.一种CMT零陷展宽旁瓣对消的分布式干扰优化布阵方法,其特征在于,包括如下步骤:1初始化雷达端基本参数,其包括信噪比SNR、干噪比JNR、主阵元个数N和辅助天线阵元个数M;2干扰端选用噪声压制干扰对雷达的CMT零陷展宽旁瓣对消进行干扰,计算CMT零陷展宽旁瓣对消处理后的输出;3根据计算的旁瓣对消处理后的输出,获得雷达天线方向图结果,定义优化目标适应度函数minfθ: 其中,θ=[θd,θ1,...,θi,...,θk],θd为目标方向,θi为第i个干扰方向,i=1,2,...,k,k为干扰源个数,Gθd为方向θd处的方向图增益,Gθi为方向θi处的方向图增益;4通过PSO算法求解出优化目标适应度函数minfθ的全局最优解,即从粒子群中找到粒子适应度值最小的全局最优粒子位置;5利用优化后的全局最优粒子位置对干扰机进行布阵,即干扰机从初始位置飞到全局最优粒子位置,再在该布阵位置处对CMT零陷展宽旁瓣对消进行干扰。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安电子科技大学 CMT零陷展宽旁瓣对消的分布式干扰优化布阵方法

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