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一种基于准二阶亥姆霍兹共振器单元的水下吸声器 

申请/专利权人:广东工业大学

申请日:2023-12-29

公开(公告)日:2024-05-14

公开(公告)号:CN118038841A

主分类号:G10K11/168

分类号:G10K11/168;G10K11/172

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开

摘要:本发明涉及吸声结构技术领域,公开了一种基于准二阶亥姆霍兹共振器单元的水下吸声器,包括:多个呈阵列式排布且并联连接的准二阶亥姆霍兹共振器单元,每个单元结构由一个上层结构和一个下层结构堆叠构成,上层结构的底部和顶部以及下层结构的顶部设有通孔,单元结构通过上层结构的顶部通孔与外界相通,上层结构和所述下层结构通过上层结构的底部通孔和下层结构的顶部通孔相通,所述上层结构和所述下层结构为一个亥姆霍兹谐振腔,所述亥姆霍兹谐振腔为长方体形状,所述亥姆霍兹谐振腔的腔壁表面除顶部外均设有橡胶层,所述橡胶层粘结固定在所述腔壁表面,所述橡胶层用于提供弹性和阻尼。本发明能够在低频范围内实现良好的吸收效果,适用范围更广。

主权项:1.一种准二阶亥姆霍兹共振器单元,其特征在于,所述准二阶亥姆霍兹共振器单元(4)由一个上层结构和一个下层结构堆叠构成,所述上层结构的底部和顶部以及所述下层结构的顶部设有通孔(1),所述单元结构通过上层结构的顶部通孔与外界相通,所述上层结构和所述下层结构通过上层结构的底部通孔和下层结构的顶部通孔相通,所述上层结构和所述下层结构为一个亥姆霍兹谐振腔(2),所述亥姆霍兹谐振腔(2)为长方体形状,所述亥姆霍兹谐振腔的腔壁表面除顶部外均设有橡胶层(3),所述橡胶层(3)粘结固定在所述腔壁表面,所述橡胶层(3)用于提供弹性和阻尼,所述准二阶亥姆霍兹共振器单元(4)的各项参数如下:THR单元的吸声系数由下式确定: 其中,R表示反射系数,表示单元阻抗;单元阻抗由下式确定: 其中,为穿孔板厚度对声阻抗的面积修正因子,表示一阶穿孔阻抗,表示一阶腔阻抗;一阶穿孔阻抗由下式确定: 其中,j为虚数单位,为角频率,为水的密度,为穿孔板的厚度,为穿孔率,为一阶贝塞尔函数,y为穿孔半径与粘性边界层厚度的比值,为一阶穿孔直径;一阶腔阻抗由下式确定: 一阶腔内橡胶阻抗由下式确定: 其中,P为声压,为腔内横截面积,、和分别为橡胶部分的密度、声速和体积,表示一阶腔内水腔阻抗;一阶腔内水腔阻抗由下式确定: 为一阶水腔横截面积,、和分别为水腔部分的密度、声速和体积;二阶单元阻抗由下式确定: 二阶穿孔阻抗由下式确定: 二阶腔阻抗由下式确定: 二阶腔内橡胶阻抗由下式确定: 二阶腔内水腔阻抗由下式确定: 。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 广东工业大学 一种基于准二阶亥姆霍兹共振器单元的水下吸声器

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