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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日：2024-04-30
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118207629A
主分类号：C30B29/52
分类号：C30B29/52;C30B15/14;C30B15/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明提供半导体级专用姆合金制备方法，涉及半导体级姆合金硅制备的技术领域，通过使用使用高纯热场拉制电阻面内分布均匀晶棒，再将晶棒切割成预定厚度的样片，将样片进行倒角、研磨、腐蚀、ML贴附、ML研磨、ＭＬ电阻測定、外观检查，得到姆合金；以在高纯热场下拉制晶棒使得晶棒内的金属含量低，然后控制样片厚度，对样品进行后续处理，降低杂质含量，使得制成的姆合金纯度高，进而姆合金拉制的产品的体金属稳定，电阻分布均匀，不同批次的电阻率均匀，电阻打靶的准确率提高。
主权项：1.一种半导体级专用姆合金制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：使用高纯热场拉制电阻面内分布均匀晶棒，以降低晶棒的金属含量；S2：将晶棒切割成预定厚度的样片；S3：将样片进行倒角、研磨、腐蚀、ML贴附、ML研磨、ＭＬ电阻测定、外观检查，得到姆合金，以提高姆合金的纯度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 半导体级专用姆合金制备方法
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