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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明公开了一种NOR闪存，是每个存储单元包括一个存储管和一个源线选择管的2TNOR闪存，其存储单元的控制栅下横部进入到第一型掺杂阱区并且顶面低于浮栅底面，存储管的横向沟道形成在浮栅下侧的掺杂阱区表层，源线选择管的沟道为竖向形成在其控制栅竖部及下横部的横向一侧的掺杂阱区，存储管的沟道与源线选择管的沟道为相互垂直的立体布置结构，有利于进一步缩小NOR闪存的存储单元尺寸，提高NOR闪存的存储密度。本发明还公开了所述NOR闪存的阵列结构及制造方法。
主权项：1.一种NOR闪存，其特征在于，其存储单元包括：第一型掺杂阱区1011，形成在半导体衬底101上部；沟道氧化层104，形成在第一型掺杂阱区1011顶面；浮栅105，形成在沟道氧化层104顶面；控制栅107，为由上横部1071、竖部1072、下横部1073首尾依次相连构成的台阶状，其上横部1071位于浮栅105上方，竖部1072位于浮栅105横向一侧，下横部1073底面及横向侧面由第一型掺杂阱区1011包围，下横部1073顶面低于浮栅105底面；控制栅107上横部1071同浮栅105之间形成有IPO介质层106；控制栅107竖部1072及下横部1073同浮栅105及第一型掺杂阱区1011之间形成有控制栅氧化层121；源极重掺杂区120形成在第一型掺杂阱区1011中并位于下横部1073正下方；漏极重掺杂区130形成在第一型掺杂阱区1011表面并位于浮栅105横向另一侧；字线柱塞WL下端接下横部1073；位线柱塞BL下端接漏极重掺杂区130；源极电源柱塞VSS接源极重掺杂区120。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 NOR闪存及其阵列结构、制造方法
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