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申请/专利权人：东南大学
申请日：2024-03-04
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118099003A
主分类号：H01L21/50
分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/427
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开了一种大功率芯片近结顶端散热与热缓冲方法及半导体功率器件，属于半导体器件热管理技术领域。该方法通过在大功率芯片顶端钝化层上方集成相变材料，基于相变材料具有高固液相变潜热，且具有固液相变过程中可以吸收大量热量，而保持温度基本不变的特点，在大功率芯片工作时，可以有效防止芯片内部热累积，从而降低芯片工作时的结温。本发明方法将相变材料集成到芯片近结区，一方面利用了大功率芯片顶端的空间，极大地缩短了散热路径长度，降低了顶端散热热阻，提高了芯片的散热能力；另一方面与现有的半导体工艺流程基本兼容，易于实现。
主权项：1.一种大功率芯片近结顶端散热与热缓冲方法，其特征在于，包括：在大功率晶体管的顶端钝化层加工出给定尺寸的凹槽；将固液相变材料填充于所述凹槽中，使所述固液相变材料与所述凹槽底部充分接触，并冷却所述固液相变材料为固态；采用介电质薄膜对所述大功率晶体管的顶端钝化层上方进行封装；以及，对所述大功率晶体管进行封装。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 一种大功率芯片近结顶端散热与热缓冲方法及半导体功率器件
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