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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种对M个字线和N个位线的PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法，该方法包括：由PRAM存储器阵列接收输入读取地址；以及从距感测放大器的字线距离相对于这些字线距离的估计最佳电流的表中选择最接近所接收的输入读取地址的距离的估计最佳参考电流。该最佳参考电流确定读取电流是“0”还是“1”，并最小化由于潜行路径和寄生元件使读取电流失真的效应而导致的误码率。
主权项：1.一种对M个字线和N个位线的PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法，包括以下步骤：由所述PRAM存储器阵列接收输入读取地址；以及选择最接近所接收的输入读取地址的距离的参考电流，其中，所述参考电流确定读取电流是“0”还是“1”，并且最小化由于潜行路径和寄生元件使所述读取电流失真的效应而导致的误码率；其中，最接近所接收的输入读取地址的距离的所述参考电流是从距感测放大器的字线距离相对于这些字线距离的电流的表中选择的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 对PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法
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