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申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种PIP电容器及PIP电容器的制造方法，所述PIP电容器包括：衬底；栅极结构，包括自下向上形成于所述衬底上的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层；体区，形成于所述衬底中；源极区和漏极区，分别形成于所述栅极结构两侧的体区中；阈值电压注入区，形成于所述源极区和所述漏极区之间的体区顶部，所述阈值电压注入区与所述源极区和所述漏极区的导电类型相同，所述阈值电压注入区与所述体区的导电类型不同。本发明的技术方案使得PIP电容器在具有高容值效率的同时，工作电压还能向低压区扩展，从而能够满足更多电路的需求。
主权项：1.一种PIP电容器，其特征在于，包括：衬底；栅极结构，包括自下向上形成于所述衬底上的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层；体区，形成于所述衬底中；源极区和漏极区，分别形成于所述栅极结构两侧的体区中；阈值电压注入区，形成于所述源极区和所述漏极区之间的体区顶部，所述阈值电压注入区与所述源极区和所述漏极区的导电类型相同，所述阈值电压注入区与所述体区的导电类型不同，使得所述PIP电容器在工作状态下在沟道区表面形成与所述阈值电压注入区的导电类型相同的导电层，进而使得所述隧穿氧化层与所述衬底的交界处实现反型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 PIP电容器及PIP电容器的制造方法
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