申请/专利权人：成都通量科技有限公司

申请日：2022-05-20

公开（公告）日：2024-05-28

公开（公告）号：CN114759879B

主分类号：H03B19/14

分类号：H03B19/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.28#授权;2022.08.02#实质审查的生效;2022.07.15#公开

摘要：本发明提供一种基于push‑push的二三倍频器，包括NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、中和电容Cp1、中和电容Cp2、变压器TR2；变压器TR1的初级线圈一端连接Port_IN端，另一端接地，变压器TR1的次级线圈一端接NMOS晶体管M1的栅极、中和电容Cp1的一端，变压器TR1的次级线圈另一端接NMOS晶体管M2的栅极，中和电容Cp2的一端。本发明基于push‑push结构，同时加入中和电容，提高了该倍频器的转化增益。同时利用变压器来区分和提取二次信号、三次信号。对于三次信号，采用ILB进行缓冲放大，提高了三次谐波信号的基波抑制度。同时输出二次和三次信号，提高了电路的输出带宽，该结构降低了整体版图面积和功耗。

主权项：1.一种基于push-push的二三倍频器，其特征在于，包括NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、中和电容Cp1、中和电容Cp2、变压器TR2；变压器TR1的初级线圈一端连接Port_IN端，另一端接地，变压器TR1的次级线圈一端接NMOS晶体管M1的栅极、中和电容Cp1的一端，变压器TR1的次级线圈另一端接NMOS晶体管M2的栅极，中和电容Cp2的一端，变压器TR1的中心抽头接Vb1，NMOS晶体管M1的源极与NMOS晶体管的源极相连并接地，NMOS晶体管M1的漏极接中和电容Cp2的另一端、微波传输线TL1一端，微波传输线TL1另一端接变压器TR2初级绕组的一端，NMOS晶体管M5的漏极接中和电容Cp1另一端、微波传输线TL2一端，微波传输线TL2另一端接变压器TR2初级线圈的另一端；变压器TR2初级线圈的中心抽头接电感L1一端、电容C2一端，电容C2另一端接Vb2，NMOS晶体管M5的栅极，NMOS晶体管M5的源极接地，NMOS晶体管M5的漏极接电感L2一端、电容C3一端，电容C3另一端接Port_OUT1；变压器TR2次级线圈一端接NMOS晶体管M3的漏极，NMOS晶体管M4的栅极、电容C1一端、变压器TR3的次级线圈的一端；变压器TR2次级线圈的另一端接NMOS晶体管M3的栅极，NMOS晶体管M4的漏极，电容C1的另一端，变压器TR3的另一端，NMOS晶体管M3的源极与NMOS晶体管M4的源极相连，并接地，变压器TR3的初级线圈一端接Port_OUT2，另一端接地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都通量科技有限公司 一种基于push-push的二三倍频器

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