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一种Triple-push交叉耦合振荡器 

申请/专利权人:天津大学

申请日:2019-09-25

公开(公告)日:2023-02-24

公开(公告)号:CN110708017B

主分类号:H03B5/12

分类号:H03B5/12;H03B5/02;G06F30/36

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.02.24#授权;2020.02.18#实质审查的生效;2020.01.17#公开

摘要:本发明公开一种Triple‑push交叉耦合振荡器,包括:三个结构相同的并联的子模块,每个子模块均包括一个子电路,两端分别连接传输线TL1,传输线TL2,三个子模块的两端分别连接电容C1,电容C2,并连接到巴伦电路,实现输出;所述子电路结构相同,包括MOS管M1,MOS管M2,电感L1,电感L2。本发明可以实现宽调频范围和低相位噪声之间的折衷;可以解决太赫兹波段有源器件增益低导致振荡器输出功率低的问题;采用CMOS工艺,有利用集成和降低成本。

主权项:1.一种Triple-push交叉耦合振荡器,其特征在于,包括:三个结构相同的并联的子模块,每个子模块均包括一个子电路,两端分别连接传输线TL1,传输线TL2,三个子模块的两端分别连接电容C1,电容C2,并连接到巴伦电路,实现输出;所述子电路结构相同,包括MOS管M1,MOS管M2,电感L1,电感L2,MOS管M1,MOS管M2的源接相接后接地,MOS管M1,MOS管M2的漏极分别接电感L1,电感L2的一端,电感L1,电感L2另一端连接后接VDD,MOS管M1的栅极接MOS管M2的漏极,MOS管M2的栅极接MOS管M1的漏极;所述传输线TL1对应接在电感L1与MOS管M1的连接线之间,传输线TL2对应接在电感L2与MOS管M2的连接线之间;所述传输线TL1通过电容C1连接到巴伦电路,所述传输线TL2通过电容C2连接到巴伦电路。

全文数据:

权利要求:

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