申请/专利权人：上海维安半导体有限公司

申请日：2019-10-12

公开（公告）日：2024-05-31

公开（公告）号：CN110600468B

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L21/82

优先权：["20190627 CN 2019105647364"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.31#授权;2020.10.02#实质审查的生效;2020.02.18#著录事项变更;2019.12.20#公开

摘要：本发明公开了一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件及其制造方法，由两个横向的低容导向管和具有SCR特性的TVS形成，其中低容导向管是由横向的PNPN晶闸管形成，将PNPN晶闸管的阳极和栅极短接形成正向导通二极管，该管子和PNPN管子并联，利用该正向导通二极管控制栅极电流来将PNPN晶闸管触发。这样能获得较低的动态电阻的导通特性和较大的通流能力，TVS是利用NPN和PNP闩锁特性形成的，这样能获得大回扫特性来降低TVS的残压。

主权项：1.一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件，其特征在于，由两个横向的低容导向管和具有SCR特性的TVS形成，其中，低容导向管是由横向的PNPN晶闸管形成，将PNPN晶闸管的阳极和栅极短接形成正向导通二极管，该正向导通二极管和PNPN结构并联，利用该正向导通二极管控制栅极电流来将PNPN晶闸管触发；其中，低容导向管上管D1和下管D2都是由SPNWL1P-外延SN形成的，该PNPN结构的阳极SP和栅极P-外延由金属短接形成；该TVS是利用独特的NPN和PNP的闩锁特性来形成电压上的大回扫，该TVS是由P-N-P-N的四层三结半导体组成，四层半导体分别是：SP、NWL2、PWELL、SN；包括下述制造步骤：步骤A：选取N+衬底作为材料片；步骤B:在N+衬底上生长一层轻掺杂P型外延层；步骤C：在轻掺杂P型外延层上用光刻定义，进行离子注入和高温形成NWL1层；步骤D：在P型外延层上进行光刻定义后，通过离子注入和退火形成轻掺杂的NWL2层；步骤E：在P型外延层上进行光刻定义后，通过离子注入和退火形成轻掺杂的PWELL层；步骤F：在P型外延层上进行光刻定义后，通过离子注入形成SN层；步骤G：在P型外延层上和NWELL1层进行光刻定义后，通过离子注入形成SP层；步骤H：对SN层和SP层进行同时RTP退火，对注入元素进行激活；步骤I：在P-外延上干法刻蚀深隔离槽一直延伸到P型衬底并用LPTEOS填充深槽隔离；步骤J:淀积一层SiO2作为接触孔的介质；步骤K：干法刻蚀接触孔和淀积金属。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海维安半导体有限公司 一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件及其制造方法

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