首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】一种SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料及其制备方法_电子科技大学_202410249135.5 

申请/专利权人:电子科技大学

申请日:2024-03-05

公开(公告)日:2024-06-04

公开(公告)号:CN118125812A

主分类号:C04B35/16

分类号:C04B35/16;C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开

摘要:本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域,具体为一种SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料及其制备方法。本发明的SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料由SrCuSi4O10和钒酸盐两相构成,按重量配比100‑x%SrCuSi4O10+x%Sr3V2O8Ba3V2O8将SrCuSi4O10和用于无机化工领域以及光学领域的钒酸盐两种预烧料以固相法直接复合烧结而成,烧结温度900~950℃,εr=8.6~9.1,Q×f值23000~32600GHz,τf=‑10~10ppm℃;钒酸盐为Sr3V2O8或Ba3V2O8。本发明同时满足了LTCC材料超低介、低损耗以及近零温度系数的诸多优势,不需要额外的烧结助剂直接复合,且成本低易于工业化应用,在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。

主权项:1.一种SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料,其特征在于:由SrCuSi4O10和钒酸盐两相构成,按重量配比100-x%SrCuSi4O10+x%Sr3V2O8Ba3V2O8将两种预烧料以固相法直接复合烧结而成,其中45≤x≤55,烧结温度900~950℃,εr=8.6~9.1,Q×f值23000~32600GHz,τf=-10~10ppm℃;所述钒酸盐为Sr3V2O8或Ba3V2O8。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电子科技大学 一种SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。