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申请/专利权人：成都灏众科技有限公司
申请日：2024-04-16
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118206376A
主分类号：C04B35/495
分类号：C04B35/495;C04B35/622;C04B35/626
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种近零温度系数的高性能LTCC材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料及其制造技术领域。高性能LTCC材料包括LiInW2O8和BiVO4两相混合的陶瓷材料，重量配比为100‑x％LiInW2O8+x％BiVO4，其中10≤x≤15。本发明制备的高性能LTCC材料可以在不添加助熔剂的情况下实现900℃的低温烧结，兼具低介、低损耗、近零温度系数的优点。并且本发明的制备方法生产原料便宜，生产成本低，适合批量化生产，在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。
主权项：1.一种近零温度系数的高性能LTCC材料，其特征在于，包括：LiInW2O8和BiVO4两相，其中，BiVO4和LiInW2O8的重量百分数分别为10-15％和85-90％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都灏众科技有限公司 一种近零温度系数的高性能LTCC材料及其制备方法
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