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申请/专利权人：科磊股份有限公司
申请日：2021-04-13
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN115398591B
主分类号：H01J37/141
分类号：H01J37/141;H01J37/21;H01J37/04;H01J37/28;H01J37/305
优先权：["20200415 US 63/010,097","20210407 US 17/224,407"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.04#授权;2023.05.02#实质审查的生效;2022.11.25#公开
摘要：一种用于3D装置的晶片检验及检视的电子束系统提供高达20微米的焦深。为了检验且检视具有在数百到数千电子伏特的低着陆能量的晶片表面或次微米以下表面缺陷，可搭配能量增强上韦内电极使用具有三个磁性偏转器的无维恩滤波器的射束分离光学器件以减小物镜的球差及色差系数。
主权项：1.一种用于半导体装置检验的系统，其包括：电子束源，其产生电子束；射束限制孔隙，其安置于所述电子束的路径中；下韦内电极，其安置于所述电子束的所述路径中；上韦内电极，其在所述电子束的所述路径中安置于所述下韦内电极与所述射束限制孔隙之间；环形检测器，其安置于所述上韦内电极的面向所述下韦内电极的表面上；磁性聚光透镜，其在所述电子束的所述路径中安置于所述上韦内电极与所述射束限制孔隙之间，其中所述磁性聚光透镜包含极片及聚光透镜线圈；偏转器，其在所述电子束的所述路径中安置于所述上韦内电极与所述聚光透镜之间；磁性物镜线圈，其在所述电子束的所述路径中安置于所述偏转器与所述上韦内电极之间；及接地管，其安置于所述电子束的所述路径中，其中所述磁性物镜线圈安置于所述接地管周围。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 科磊股份有限公司 用于3D装置的检验及检视的电子束系统
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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