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申请/专利权人：国创芯科技(江苏)有限公司
申请日：2023-12-22
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN117594098B
主分类号：G11C16/08
分类号：G11C16/08;G11C16/26;G11C16/34
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.04#授权;2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开
摘要：本发明属于数据存储技术领域，提供了一种TLC最优读电压确定方法及装置，其中方法包括：根据当前字线的7个读电压将字线划分为8个电压区间；依次用字线的其中一个读电压作为当前读电压对字线执行读操作；其中，读操作通过配置SLC读模式，或者level‑read模式实现；获取当前读电压读取到的字线的bit0个数和bit1个数；根据bit0个数和bit1个数，计算位于电压区间内被读为0的cell个数和被读为1的cell个数；确定当前读电压Vi和目标最优读电压Vir之间的存储单元相差数量；根据存储单元相差数量，确定当前读电压Vi移动至目标最优读电压Vir的方向和距离。本发明可以以很少的读取次数找到各电压区域的最优读电压，降低寻找和计算时间。
主权项：1.一种TLC最优读电压确定方法，其特征在于，包括：根据当前字线的7个读电压将字线划分为8个电压区间；依次用字线的其中一个读电压作为当前读电压对字线执行读操作；其中，读操作通过配置SLC读模式，或者level-read模式实现；获取当前读电压读取到的字线的bit0个数和bit1个数；根据bit0个数和bit1个数，计算位于电压区间内被读为0的cell个数和被读为1的cell个数；确定当前读电压Vi和目标最优读电压Vir之间的存储单元相差数量；根据存储单元相差数量，确定当前读电压Vi移动至目标最优读电压Vir的方向和距离；所述存储单元相差数量通过当前读电压Vi两侧相邻的理想最优读电压到区间内的存储单元数量计算获得， ，其中，和分别为区间内初始读电压Vi左侧和右侧的存储单元数量，i=1,2,…,7； ，，Nr为单个电压区间内的存储单元数量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国创芯科技(江苏)有限公司 一种TLC最优读电压确定方法及装置
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