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申请/专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日：2023-12-29
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118151297A
主分类号：G02B6/136
分类号：G02B6/136;G02B6/132;G02B6/13;G02B6/122;G02F1/035;G02B6/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本申请提供一种光波导集成结构制备方法、光波导集成结构及电光调制器，所述方法包括：制备薄膜中间体；所述薄膜中间体从下至上依次为衬底层、隔离层和功能层；用刻蚀法对所述薄膜中间体进行刻蚀制备波导层；在所述波导层上制备二氧化硅层，并进行平坦化处理；在平坦化处理后，键合一层铌酸锂薄膜得到铌酸锂层，其中键合过程中，将所述铌酸锂薄膜沿Z轴正向旋转180°；对键合后的铌酸锂层进行后处理，得到光波导集成结构。通过本申请提供的光波导集成结构制备方法，可以使得波导的刻蚀深度较浅，同时解决了反向键合时Z‑Z轴刻蚀速率不一致的问题，使得经过刻蚀的铌酸锂侧壁更加光滑，解决刻蚀的铌酸锂侧壁粗糙带来的散射损耗问题。
主权项：1.一种光波导集成结构的制备方法，其特征在于，包括：制备薄膜中间体；所述薄膜中间体从下至上依次为衬底层、隔离层和功能层；用刻蚀法对所述薄膜中间体进行刻蚀制备波导层；在所述波导层上制备二氧化硅层，并进行平坦化处理；在平坦化处理后，键合一层铌酸锂薄膜得到铌酸锂层，其中键合过程中，将所述铌酸锂薄膜沿Z轴正向旋转180°；对键合后的铌酸锂层进行后处理，得到光波导集成结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 济南晶正电子科技有限公司 光波导集成结构制备方法、光波导集成结构及电光调制器
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