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申请/专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日：2022-10-28
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118160068A
主分类号：H01L21/027
分类号：H01L21/027
优先权：["20211029 US 63/273,321"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：一种当包括有源层时不采用反应离子蚀刻或湿法蚀刻的情况下制造外延光控制特征的方法。外延光控制特征包含在发光器件如发光二极管的外延层上集成的光提取或导向结构。该光提取或导向结构使用外延横向过度生长ELO技术在外延层上制造。外延光控制特征可以具有许多不同的形状，并且可以用标准加工技术制造，使得它们以类似于标准加工技术的成本高度可制造。
主权项：1.方法，所述方法包括：在主衬底上形成生长限制掩模，其中在所述生长限制掩模或所述主衬底上形成一个或多个图案；以及使用所述生长限制掩模在所述主衬底上生长一个或多个外延横向过生长ELO层和器件层，其中所述生长限制掩模或所述主衬底上形成的所述图案被至少转移到介于ELO层与所述生长限制掩模之间的界面，并且所述图案包含外延集成的光控制特征，以提取、引导、反射、折射、聚焦或散焦从所述器件层发射的光。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 加利福尼亚大学董事会 含有外延光控制特征的发光二极管
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