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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日：2023-10-31
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156297A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40
优先权：["20221206 US 18/075930"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及高电子迁移率晶体管HEMT和制造方法。该结构包括：栅极结构；源极接触和漏极接触，其邻近栅极结构；以及场板，其与栅极结构电隔离并且邻接源极接触和漏极接触。
主权项：1.一种结构，包括栅极结构；源极接触和漏极接触，其邻近所述栅极结构；以及场板，其与所述栅极结构电隔离，并且邻接所述源极接触和所述漏极接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 高电子迁移率晶体管
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