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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日：2024-02-26
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118147733A
主分类号：C30B11/00
分类号：C30B11/00;C30B29/48
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本申请提出了一种适用于具有高温、高压、有毒、偏析等特性的Ⅱ‑Ⅵ族化合物的晶体生长装置和方法，晶体生长装置包括：陶瓷炉管，其外壁轴向设置有多段炉丝，相邻段炉丝按照预设规律间隔分布，其中下段炉丝间距比上段炉丝间距大，各段控温热电偶头伸入炉管内；隔热环，设置在陶瓷炉管内壁、梯度区上下，用以获得合适温度梯度；安瓿，用以盛装生长晶体的配料，其下端与安瓿支撑导热杆连接，可基于安瓿支撑导热杆在陶瓷炉管内移动、旋转；结晶起点监测热电偶，设置在安瓿下面，用以确定结晶起点温度和位置。本申请的装置便于调整生长炉轴向、径向温场，获得并保持理想晶体生长的温场分布，避免晶体生长的盲目性。
主权项：1.一种垂直布里奇曼法生长Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体的装置，其特征在于，包括：陶瓷炉管，具有指定的长度、内径和壁厚，其中所述陶瓷炉管的内径是依据生长目标晶体直径来设定的，所述陶瓷炉管的长度依据目标晶体和安瓿的长度来设定，所述陶瓷炉管的外壁轴向设置有多段炉丝，相邻段的炉丝按照预设规律间隔分布，其中下段炉丝的间距比上段炉丝的间距大，各段的炉丝的长度可以不同，各段控温热电偶头伸入炉管内；隔热环，数量为2，设置在所述陶瓷炉管内壁、梯度区上下，采用保温材料制成，用以获得合适的温度梯度，隔热环的内外径由所述陶瓷管内径和安瓿外径设定，且所述隔热环表面平整光滑；安瓿，用以盛装生长晶体的配料，高纯石英材质制成，其下端与安瓿支撑导热杆连接，可基于所述安瓿支撑导热杆在所述陶瓷炉管内移动、旋转。结晶起点监测热偶，设置在安瓿底部锥尖下部，S型热电偶，用以定位结晶起点的温度和位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 垂直布里奇曼法生长Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体的装置及方法
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