申请/专利权人：北京鼎材科技有限公司

申请日：2019-12-18

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN113004189B

主分类号：C07D209/80

分类号：C07D209/80;C07D209/86;C07D409/04;C07D209/88;C07D487/04;C07D495/04;C07D491/048;C07D209/94;H10K50/11;H10K85/60

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2022.09.20#实质审查的生效;2021.06.22#公开

摘要：本发明涉及一种化合物及其应用，所述化合物具有式I所示的结构。本发明提供的化合物是以7元共轭芳环为母核结构，其中取代基团中必须含有一个咔唑及其衍生基团Ar，咔唑保证了相应的HOMO能级，提供了良好的空穴能力，7元芳环的加入，提供了更大的平面共轭基团，增加了整个分子的载流子迁移率，再者这种刚性结构的引入，使得该类材料具有高的玻璃化温度，热稳定性极佳，应用于OLED器件时，能够有效的提高器件效率，降低驱动电压，特别是一种良好的空穴型主体材料。

主权项：1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I所示的结构； 式I中，所述m为0～2的整数，且m＝2时，R1相同或不同；式I中，所述n为0～2的整数，且n＝2时，R2相同或不同；式I中，所述o为0～2的整数，且o＝2时，R3相同或不同；式I中，所述p为0～2的整数，且p＝2时，R4相同或不同；式I中，所述s和k各自独立地为0或1，且s和k不同时为0；式I中，所述R1、R2、R3和R4各自独立地选自C1～C12链状烷基、C3～C12环烷基、C1～C12链状烷氧基、卤素、氰基、取代或未取代的C6～C20芳基、取代或未取代的C3～C20杂芳基中的任意一种，R1、R2、R3和R4中任意两个相邻的基团不连接成环；式I中，所述Ar具有式II所示的结构； 式II中，虚线代表基团的连接键；式II中，所述L选自单键、取代或未取代的C6～C20亚芳基、取代或未取代的C3～C20亚杂芳基中的任意一种；式II中，所述Z1～Z8各自独立地选自CR5，所述R5各自独立地选自氢、氘、卤素、取代或未取代的C1～C12链状烷基、取代或未取代的C3～C12环烷基、取代或未取代的C1～C12链状烷氧基、氰基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种，任意两个相邻的R5不连接成环或者相互连接形成取代或未取代的C6～C30芳环、取代或未取代的C3～C30杂芳环中的任意一种；当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、C1～C12链状烷基、C3～C12环烷基、C1～C6烷氧基、C1～C6硫代烷氧基、C6～C20芳基氨基、C3～C20杂芳基氨基、C6～C20单环芳基、C10～C20稠环芳基、C3～C20单环杂芳基、C6～C20稠环杂芳基中的任意一种或者至少两种的组合。

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权利要求：

百度查询： 北京鼎材科技有限公司 一种化合物及其应用

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