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申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日：2019-08-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN111101197B
主分类号：C30B25/18
分类号：C30B25/18;C30B29/40
优先权：["20181029 JP 2018-203008"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.08.17#实质审查的生效;2020.05.05#公开
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体及其制造方法。该III族氮化物半导体能够使缺陷密度较低的高品质的晶体生长，包括：包含由通式RAMO4所表示的单晶体通式中，R表示从Sc、In、Y及镧系元素中选择的一个或多个三价元素，A表示从FeIII、Ga及Al中选择的一个或多个三价元素，M表示从Mg、Mn、FeII、Co、Cu、Zn及Cd中选择的一个或多个二价元素的RAMO4基板；配置于所述RAMO4基板上的p型III族氮化物晶体层；配置于所述p型III族氮化物晶体层上，且彼此分离的多个n型III族氮化物晶体层；以及配置于所述多个n型III族氮化物晶体层上的III族氮化物晶体层。
主权项：1.一种III族氮化物半导体，其特征在于，具有：ScAlMgO4基板；配置于所述ScAlMgO4基板上的p型III族氮化物晶体层；配置于所述p型III族氮化物晶体层上的、通过对n型III族氮化物晶体层进行蚀刻而形成的线状的彼此分离的多个n型III族氮化物晶体，所述线状的彼此分离的多个n型III族氮化物晶体处于相同的平面上；以及以该线状的彼此分离的多个n型III族氮化物晶体的上表面作为生长面生长而得到的III族氮化物晶体层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 松下知识产权经营株式会社 III族氮化物半导体及其制造方法
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