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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日：2024-03-06
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118155767A
主分类号：G16C60/00
分类号：G16C60/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本申请提出一种材料生长参数的调整方法及装置，其中，方法包括：将已制备材料的历史生长过程中生长参数的第一参数值及已制备材料的表征结果，输入第一参数获取模型，以获取待制备材料生长时生长参数的初始参数值；在待制备材料在初始参数值对应的生长环境中生长的过程中，实时获取生长参数的第二参数值及待制备材料的原位表征数据；将第二参数值及原位表征数据中的至少一项，输入第二参数获取模型中，以获取生长参数的预测结果；基于预测结果，对生长参数在目标时刻对应的参数值进行调整。不仅在材料生长前设定每个生长参数经过优化后的初始值，也在材料生长过程中对生长参数的值进行动态优化，有效提高材料生长质量和良品率。
主权项：1.一种材料生长参数的调整方法，其特征在于，包括：获取已制备材料的历史生长过程中生长参数对应的第一参数值、及所述已制备材料对应的表征结果；将所述生长参数对应的第一参数值及所述表征结果，输入第一参数获取模型，以获取待制备材料生长时所述生长参数对应的初始参数值；在所述待制备材料在所述初始参数值对应的生长环境中生长的过程中，实时获取所述生长参数对应的第二参数值及所述待制备材料对应的原位表征数据；将所述第二参数值及所述原位表征数据中的至少一项，输入第二参数获取模型中，以获取所述生长参数对应的预测结果；基于所述预测结果，对所述生长参数在目标时刻对应的参数值进行调整。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 材料生长参数的调整方法及装置
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