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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2019-12-10
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN113287189B
主分类号：H01L21/263
分类号：H01L21/263;H01L21/306;H01L21/027;H01L21/02
优先权：["20181214 US 62/779,604","20190227 US 16/287,669"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.12.31#实质审查的生效;2021.08.20#公开
摘要：披露了照射刻蚀溶液以提供对材料的受控刻蚀的方法。将具有第一水平的反应物的刻蚀溶液例如，气态、液态、或其组合施加到要刻蚀的材料的表面上。照射该刻蚀溶液以导致该刻蚀溶液具有第二水平的反应物，该第二水平大于该第一水平。用经照射的刻蚀溶液改性例如，氧化该材料的表面，并且去除改性材料层。可以重复或循环该暴露和去除以刻蚀该材料。此外，对于氧化溶解实施例，该氧化和溶解可以同时发生，并且氧化速率可以大于溶解速率。该材料可以是多晶材料、多晶金属、和或其他材料。一种刻蚀溶液可以包含过氧化氢，该过氧化氢被照射以形成羟基自由基。
主权项：1.一种加工用于微电子工件的衬底的方法，该方法包括：接收用于微电子工件的衬底，该衬底具有要从该衬底的表面刻蚀的多晶材料；将刻蚀溶液施加到该衬底的该表面上，该刻蚀溶液具有相对于该多晶材料的第一水平的反应物；将该刻蚀溶液和该材料的该表面暴露于照射以在该多晶材料的该表面上形成氧化材料层，该暴露导致该刻蚀溶液具有相对于该多晶材料的第二水平的反应物，该第二水平大于该第一水平；以及通过与氧化步骤分开的溶解步骤去除该氧化材料层，其中该氧化的氧化速率常数大于该溶解的溶解速率常数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 使用经照射的刻蚀溶液降低材料粗糙度的方法
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