申请/专利权人：三星电机株式会社

申请日：2018-12-21

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN110246670B

主分类号：H01F27/34

分类号：H01F27/34

优先权：["20180309 KR 10-2018-0028216","20180515 KR 10-2018-0055341"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2021.01.01#实质审查的生效;2019.09.17#公开

摘要：本发明提供一种线圈组件，所述线圈组件包括：主体；线圈部，包括嵌在所述主体中的线圈图案，并且具有围绕一个方向缠绕的至少一匝；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的表面上并连接到所述线圈部；以及屏蔽过孔，所述屏蔽过孔的磁导率高于所述主体的磁导率并在所述主体中沿所述一个方向延伸。

主权项：1.一种线圈组件，包括：主体；线圈部，包括嵌在所述主体中的线圈图案，并且具有围绕一个方向缠绕的至少一匝；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的表面上并连接到所述线圈部；以及屏蔽过孔，所述屏蔽过孔的磁导率高于所述主体的磁导率，并在所述主体中沿着所述一个方向延伸，其中，所述屏蔽过孔设置在所述主体的两个表面彼此相交的边缘区域与所述线圈图案之间，并且所述屏蔽过孔与所述主体的芯分开，所述芯被所述线圈图案围绕。

全文数据：线圈组件本申请要求于2018年3月9日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0028216号和于2018年5月15日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0055341号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。技术领域本公开涉及一种线圈组件。背景技术电感器一种线圈组件是与电阻器和电容器一起用在电子装置中的代表性无源电子组件。随着电子装置的高性能和小型化，电子装置中使用的电子组件的数量增加并且尺寸减小。由于上述原因，对去除诸如电子组件的电磁干扰EMI的噪声产生源的要求逐渐增加。目前，在通常的EMI屏蔽技术中，在将电子组件安装在板上之后，电子组件和板同时被屏蔽罩包围。发明内容本公开的一方面可提供一种能够减小磁通量泄漏的线圈组件。本公开的一方面还可提供一种线圈组件，所述线圈组件能够在减小磁通量泄漏的同时改善线圈组件的诸如电感L、品质Q因子等的特性。根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括屏蔽过孔，所述屏蔽过孔的磁导率高于主体的磁导率并且所述屏蔽过孔在所述主体中沿与线圈部的匝缠绕的方向相同的方向上延伸。根据本公开的另一方面，一种线圈组件可包括主体；线圈部，包括嵌在所述主体中的线圈图案，并且具有围绕一个方向缠绕的至少一匝；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的表面上并连接到所述线圈部；以及屏蔽过孔，所述屏蔽过孔的磁导率高于所述主体的磁导率，并在所述主体中沿着所述一个方向延伸。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是示意性地示出根据本公开的第一示例性实施例的线圈组件的透视图；图2是示意性地示出根据本公开的第一示例性实施例的线圈组件的平面图；图3是沿图1的I-I'线截取的截面图；图4是示意性地示出根据本公开的第二示例性实施例的线圈组件的透视图；图5是示意性地示出根据本公开的第二示例性实施例的线圈组件的主视图；图6是示意性地示出根据本公开的第三示例性实施例的线圈组件的透视图；图7是示意性地示出根据本公开的第三示例性实施例的线圈组件的主视图；图8是示意性地示出根据本公开的第四示例性实施例的线圈组件的透视图；以及图9是示意性地示出根据本公开的第四示例性实施例的线圈组件的主视图。具体实施方式在下文中，现将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。在附图中，L方向指的是第一方向或长度方向，W方向指的是第二方向或宽度方向，T方向指的是第三方向或厚度方向。在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施例的线圈组件。在参照附图描述本公开的示例性实施例时，彼此相同或相对应的组件将由相同的附图标记表示，并且将省略其重复描述。各种类型的电子组件可被用在电子装置中，各种类型的线圈组件可被适当地用于去除电子组件之间的噪声等的目的。即，在电子装置中，线圈组件可被用作功率电感器、高频HF电感器、普通磁珠、GHz磁珠、共模滤波器等。第一示例性实施例图1是示意性地示出根据本公开的第一示例性实施例的线圈组件的透视图。图2是示意性地示出根据本公开的第一示例性实施例的线圈组件的平面图。图3是沿图1的I-I'线截取的截面图。参照图1至图3，根据本公开的第一示例性实施例的线圈组件1000可包括主体100、线圈部200、外电极300和400以及屏蔽过孔500，并且还包括内绝缘层IL和绝缘膜IF。主体100可形成根据本示例性实施例的线圈组件1000的外型，并且线圈部200可嵌在主体100中。主体100可以形成为完全六面体形状。在下文中，作为示例，将在主体100呈六面体形状的假设下描述本公开的第一示例性实施例。然而，通过本说明书，包括如下主体的线圈组件被包括在本示例性实施例的范围中：所述主体形成为除了六面体形状之外的形状。在图1中，主体100可具有在长度方向L上彼此背对的第一表面和第二表面，在宽度方向W上彼此背对的第三表面和第四表面以及在厚度方向T上彼此背对的第五表面和第六表面。主体100的第一表面至第四表面可对应于主体100的壁表面，主体100的壁表面分别将主体100的第五表面和第六表面彼此连接。主体100的壁表面可包括与彼此背对的两个端表面对应的第一表面和第二表面以及与彼此背对的两个侧表面对应的第三表面和第四表面。例如，主体100可形成为使得其中形成下面将描述的外电极300和400的线圈组件1000具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但主体100不限于此。主体100可包含磁性材料和树脂。更具体地，可以通过堆叠其中磁性材料分散在树脂中的一个或更多个磁性复合片来形成主体100。然而，除了磁性材料分散在树脂中的结构之外，主体100还可以具有不同的结构。例如，主体100也可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。磁性材料可以是铁氧体或金属磁性粉末。作为示例，铁氧体粉末可利用从以下铁氧体中选择的至少一种形成：诸如Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体的尖晶石型铁氧体；诸如Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体的六方晶型铁氧体；诸如Y基铁氧体的石榴石型铁氧体；以及Li基铁氧体。金属磁性粉末可包含从由铁Fe、硅Si、铬Cr、钴Co、钼Mo、铝Al、铌Nb、铜Cu和镍Ni组成的组中选择的一种或更多种。例如，金属磁性粉末可以是纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末和Fe-Cr-Al基合金粉末中的至少一种。金属磁性粉末可以是非晶的或结晶的。例如，金属磁性粉末可以是Fe-Si-B-Cr基非晶金属粉末，但不必限于此。铁氧体和金属磁性粉末可各自具有约0.1μm至30μm的平均直径，但不限于此。主体100可包含分散在树脂中的两种或更多种磁性材料。这里，短语“不同种类的磁性材料”是指分散在树脂中的磁性材料在其平均直径、成分、结晶度及形状中的任何一个方面彼此区分开。树脂可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物LCP等中的一种或它们的混合物，但不限于此。主体100可包括穿透将在下面描述的线圈部200的芯110。可以通过将磁性复合片填充在线圈部200的通孔中来形成芯110，但不限于此。线圈部200可嵌在主体100中并且呈现线圈组件的特性。例如，当根据本示例性实施例的线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部200可用于通过存储电场作为磁场来稳定电子装置的电源以保持输出电压。线圈部200可形成围绕一个方向缠绕的至少一匝。作为示例，线圈部200可形成围绕主体100的厚度T方向缠绕的至少一匝。线圈部200可包括第一线圈图案211、第二线圈图案212和连接过孔未示出。第一线圈图案211和第二线圈图案212以及下面将描述的内绝缘层IL可被形成为堆叠在主体100的厚度T方向上。即，内绝缘层IL可具有在厚度T方向上彼此背对的一个表面和另一个表面，并且第一线圈图案211和第二线圈图案212可分别形成在内绝缘层IL的一个表面和另一个表面上。第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每一个可形成为扁平螺旋形状。作为示例，第一线圈图案211可在内绝缘层IL的一个表面上形成围绕主体100的厚度T方向缠绕的至少一匝。连接过孔可以穿透内绝缘层IL以使第一线圈图案211和第二线圈图案212彼此电连接，从而与第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个接触。因此，应用于本示例性实施例的线圈部200可形成为在主体100的厚度T方向上产生磁场的单线圈。连接过孔和第一线圈图案211和第二线圈图案212中的至少一个可包括至少一个导电层。作为示例，当通过镀覆形成第二线圈图案212和连接过孔时，第二线圈图案212和连接过孔中的每个可包括无电镀层的内种子层和电镀层。这里，电镀层可以具有单层结构或多层结构。具有多层结构的电镀层也可以形成为共形膜结构，在共形膜结构中，一个电镀层被另一个电镀层覆盖。或者，也可以形成具有多层结构的电镀层，使得另一个电镀层仅堆叠在一个电镀层的一个表面上。第二线圈图案212的内种子层和连接过孔的内种子层可以彼此形成为一体，使得它们之间不形成边界，但是第二线圈图案212的内种子层和连接过孔的内种子层不限于此。第二线圈图案212的电镀层和连接过孔的电镀层可以彼此形成为一体，使得它们之间不形成边界，但是第二线圈图案212的电镀层和连接过孔的电镀层不限于此。作为另一示例，当通过分开地形成第一线圈图案211和第二线圈图案212，然后在内绝缘层IL上共同堆叠第一线圈图案211和第二线圈图案212来形成线圈部200时，连接过孔可包括高熔点金属层和具有熔点低于高熔点金属层的熔点的低熔点金属层。这里，低熔点金属层可利用包含铅Pb和或锡Sn的焊料形成。低熔点金属层可因共同堆叠时的压力和温度而至少部分地熔化，使得可以在低熔点金属层和第二线圈图案212之间的边界中形成金属间化合物IMC层。作为示例，第一线圈图案211和第二线圈图案212可形成为分别在内绝缘层IL的下表面和上表面上突出。作为另一示例，第一线圈图案211可嵌在内绝缘层IL的下表面中，使得其下表面暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212可形成为在内绝缘层IL的上表面上突出。在这种情况下，凹入部分可以形成在第一线圈图案211的下表面中，使得内绝缘层IL的下表面和第一线圈图案211的下表面可不位于同一平面上。作为另一示例，第一线圈图案211可嵌在内绝缘层IL的下表面中，使得其下表面暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212可嵌在内绝缘层IL的上表面中，使得其上表面暴露于内绝缘层IL的上表面。第一线圈图案211和第二线圈图案212的端部可分别暴露于主体100的第一表面和第二表面两个端表面。第一线圈图案211的暴露于主体100的第一表面的端部可以与下面将描述的第一外电极300接触，使得第一线圈图案211可电连接到第一外电极300。第二线圈图案212的暴露于主体100的第二表面的端部可以与下面将描述的第二外电极400接触，使得第二线圈图案212可以电连接到第二外电极400。第一线圈图案211和第二线圈图案212以及连接过孔均可利用诸如铜Cu、铝Al、银Ag、锡Sn、金Au、镍Ni、铅Pb、钛Ti或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。内绝缘层IL可利用包括诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂和感光绝缘树脂中的至少一种的绝缘材料形成，或者利用其中诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料浸渍在上述绝缘树脂中的绝缘材料形成。作为示例，内绝缘层IL可利用诸如半固化片、ABFAjinomotobuild-upfilm、FR-4、双马来酰亚胺三嗪树脂、感光介质PID等的绝缘材料形成，但不限于此。可使用从由二氧化硅SiO2、氧化铝Al2O3、碳化硅SiC、硫酸钡BaSO4、滑石、泥浆、云母粉、氢氧化铝AlOH3、氢氧化镁MgOH2、碳酸钙CaCO3、碳酸镁MgCO3、氧化镁MgO、氮化硼BN、硼酸铝AlBO3、钛酸钡BaTiO3、锆酸钙CaZrO3组成的组中选择的至少一种作为无机填料。当内绝缘层IL利用包含增强材料的绝缘材料形成时，内绝缘层IL可提供更优异的刚性。当内绝缘层IL利用不包含玻璃纤维的绝缘材料形成时，内绝缘层IL有利于减薄整个线圈部200的厚度。当内绝缘层IL利用包含感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，可以减少工艺的数量，这有利于降低制造成本，并且可以更精细地形成连接过孔。可沿着第一线圈图案211、内绝缘层IL和第二线圈图案212的表面形成绝缘膜IF。绝缘膜IF可以保护各个线圈图案211和212并使各个线圈图案211和212绝缘，并且绝缘膜IF包含诸如聚对二甲苯等本领域已知的绝缘材料。绝缘膜IF中可包含任何绝缘材料而没有具体限制。绝缘膜IF可通过诸如气相沉积方法的方法形成，但不限于此。可通过在其上形成有第一线圈图案211和第二线圈图案212的内绝缘层IL的两个表面上堆叠绝缘膜来形成绝缘膜IF。同时，尽管未示出，但是第一线圈图案211和第二线圈图案212中的至少一个可以形成为多个。作为示例，线圈部200可具有其中形成有多个第一线圈图案211并且另一个第一线圈图案堆叠在一个第一线圈图案的下表面上的结构。在这种情况下，另一内绝缘层可设置在多个第一内线圈图案211之间，但是不限于此。外电极300和400可设置在主体100的多个表面上并分别连接到线圈图案211和212。外电极300和400可包括连接到第一线圈图案211的第一外电极300和连接到第二线圈图案212的第二外电极400。更具体地，第一外电极300可包括：第一连接部310，设置在主体100的第一表面主体100的一个端表面上，并且连接到第一线圈图案211的端部；以及第一延伸部320，从第一连接部310延伸到主体100的第六表面主体100的一个表面。第二外电极400可包括：第二连接部410，设置在主体100的第二表面主体100的另一端表面上，并且连接到第二线圈图案212的端部；以及第二延伸部420，从第二连接部410延伸到主体100的第六表面。第一延伸部320和第二延伸部420可彼此分开，使得第一外电极300和第二外电极400彼此不接触。当根据本示例性实施例的线圈组件1000安装在印刷电路板等上时，外电极300和400可以将线圈组件1000电连接到印刷电路板等。作为示例，根据本示例性实施例的线圈组件1000可安装在印刷电路板上，使得主体100的第六表面面向印刷电路板的上表面，并且第一外电极300的设置在主体100的第六表面上的延伸部320和第二外电极400的设置在主体100的第六表面上的延伸部420与印刷电路板的连接部可通过焊料等彼此电连接。外电极300和400可以通过印刷导电膏形成或通过电镀形成。外电极300和400可以包含铜Cu、铝Al、银Ag、锡Sn、金Au、镍Ni、铅Pb和钛Ti中的至少一种。作为示例，外电极300和400可以是通过印刷导电膏等形成的导电树脂层。导电树脂层可包含从由铜Cu、镍Ni和银Ag组成的组中选择的一种或更多种导电金属以及热固性树脂。作为另一个示例，外电极300和400可以是通过电镀形成的电镀层。在这种情况下，种子层SL可以形成在主体100的第一表面、第二表面和第六表面中的至少一个上，以通过电镀形成外电极300和400。种子层SL可通过在主体100的表面上印刷导电膏、在主体100的表面上堆叠金属箔或者在主体100的表面上执行诸如溅射等的气相沉积来形成。种子层SL可包含铜Cu、铝Al、银Ag、锡Sn、金Au、镍Ni、铅Pb、钛Ti和铬Cr中的至少一种。同时，当主体100具有在通过电镀方法形成外电极300和400时所需的导电性时，可省略种子层SL。连接部310和410以及延伸部320和420可通过相同的工艺形成，使得第一连接部310和第一延伸部320可彼此形成为一体，并且第二连接部410和第二延伸部420可彼此形成为一体。然而，连接部310和410以及延伸部320和420不限于此。屏蔽过孔500的磁导率可高于主体100的磁导率，并且屏蔽过孔500沿主体100的厚度T方向嵌在主体100中。即使屏蔽过孔500和主体100包含相同的磁性材料，由于主体100还包含树脂，因此根据树脂含量的差异或树脂的存在与否，屏蔽过孔500的磁导率可大于主体100的磁导率。这里，术语“磁导率”是指相对磁导率。通过将具有磁导率高于主体100的磁导率的屏蔽过孔500嵌在主体100中，可减少泄漏到主体100外部的磁通量。因此，可提高根据本示例性实施例的线圈组件1000的电感L和品质Q因子。屏蔽过孔500可包含金属磁性材料。金属磁性材料可包含从由铁Fe、硅Si、铬Cr、硼B、钴Co、钼Mo、铝Al、铌Nb、铜Cu和镍Ni组成的组中选择的一种或更多种。例如，金属磁性材料可以是纯铁、Fe-Si基合金、Fe-Si-Al基合金、Fe-Ni基合金、Fe-Ni-Mo基合金、Fe-Ni-Mo-Cu基合金、Fe-Co基合金、Fe-Ni-Co基合金、Fe-Cr基合金、Fe-Cr-Si基合金、Fe-Si-Cu-Nb基合金、Fe-Ni-Cr基合金和Fe-Cr-Al基合金中的至少一种。金属磁性材料可以是非晶的或结晶的。例如，金属磁性材料可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金，但不必限于此。屏蔽过孔500的磁导率可例如大于30Hm，但是不受限制，只要屏蔽过孔500的磁导率大于主体100的磁导率即可。屏蔽过孔500可通过在主体100中加工用于形成屏蔽过孔的通路孔并用磁性材料填充用于形成屏蔽过孔的通路孔来形成。考虑到由线圈部200形成的磁通量的方向，可在主体100的厚度T方向上形成用于形成屏蔽过孔的通路孔。即，用于形成屏蔽过孔的通路孔可形成在主体100的在主体100的厚度T方向上的第五表面或第六表面中。因此，屏蔽过孔500可暴露于主体100的在主体100的厚度T方向上彼此背对的第五表面和第六表面中的至少一个或两个。屏蔽过孔500可形成为具有诸如圆形、椭圆形、多边形等的各种截面形状。屏蔽过孔500可利用单层或多层形成。多个屏蔽过孔500可形成并嵌在主体100中，并且多个屏蔽过孔500彼此分开。通过形成多个屏蔽过孔500，可改善降低磁通量泄漏的效果。同时，尽管未在图1至图3中示出，外绝缘层可形成在主体100的表面的其上未形成有外电极300和400的区域中。即，外绝缘层可形成在主体100的其上未形成连接部310和410的第三表面至第五表面上以及主体100的第六表面的其上未形成有延伸部320和420的区域上。外绝缘层可以在通过电镀形成外电极300和400时用作镀覆抗蚀剂，但不限于此。此外，尽管未在图1至图3中示出，但可在主体100的第六表面与延伸部320和420之间形成与上述外绝缘层不同的附加绝缘层。当通过烧结方法或固化方法形成主体100时，可在主体100的表面中按照高范围形成表面粗糙度。在如上所述通过电镀直接在主体100的表面上形成外电极300和400的情况下，外电极300和400的表面可能具有高的表面粗糙度，使得平整度可能不令人满意。因此，可以在主体100的表面上形成附加绝缘层，从而防止按照高范围形成在主体100的表面上的表面粗糙度转移到外电极300和400。当附加绝缘层形成在主体100的表面上时，上述种子层SL可设置在附加绝缘层与外电极300和400之间。根据本示例性实施例的线圈组件1000可通过在主体100中形成具有磁导率高于主体100的磁导率的屏蔽过孔500来更有效地阻挡磁通量泄漏。此外，由于可通过在线圈组件本身中形成屏蔽过孔500而不使用诸如屏蔽罩之类的单独的构件来减少磁通量泄漏，因此使得线圈组件1000可有利于电子装置的薄度和高性能。另外，由于在根据本示例性实施例的线圈组件1000中，与使用屏蔽罩的情况相比，屏蔽区域中的有效磁性材料的量增加，因此可以改善线圈组件的诸如电感L、Q因子等的特性。第二示例性实施例图4是示意性地示出根据本公开的第二示例性实施例的线圈组件的透视图。图5是示意性地示出根据本公开的第二示例性实施例的线圈组件的主视图。参照图1至图5，根据本示例性实施例的线圈组件2000与根据本公开的第一示例性实施例的线圈组件1000的不同之处在于设置有线圈部200和屏蔽过孔500的结构。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开的第一示例性实施例中的线圈部200和屏蔽过孔500不同的线圈部200和屏蔽过孔500。对于本示例性实施例中的其他构造，可以原样应用第一示例性实施例中的相关构造的描述。参照图4和图5，在应用于本示例性实施例的线圈部200中，各自形成围绕主体100的宽度W方向缠绕的至少一匝的线圈图案211、212和213可顺序地设置在主体100的宽度W方向上并通过连接过孔彼此连接。即，根据本示例性实施例的线圈部200可对应于与图4和图5中的主体100的下表面垂直地形成匝的竖直设置的线圈。与本公开的第一示例性实施例不同，根据本示例性实施例的线圈部200可在主体100的宽度W方向上产生磁通量。主体和相应的线圈图案211至213可通过如下方式形成：在磁性片或磁性复合片上印刷导电膏、堆叠其上印刷有导电膏的多个磁性片或多个磁性复合片，然后烧结或固化堆叠的磁性片或磁性复合片。线圈部200的两端可各自暴露于主体100的与主体100的宽度W方向平行的第六表面，从而分别连接到设置在主体100的第六表面上的彼此分开的第一外电极300和第二外电极400。另外，如图4和5所示，线圈部200的一端可暴露于主体100的第二表面和第六表面，并且线圈部200的另一端可暴露于主体100的第一表面和第六表面，使得可以更可靠地执行线圈部200与外电极300和400之间的电连接。此外，如图4和图5所示，通过将构成线圈部200的各个线圈图案211至213连接到外电极300和400，可以更可靠地执行线圈部200与外电极300和400之间的电连接。在主体100的多个表面中，屏蔽过孔500可暴露于主体100的彼此相交的至少两个表面。即，屏蔽过孔500可形成于边缘区域中，在该边缘区域处，主体100的一个表面与主体100的另一个表面相交。作为示例，屏蔽过孔500可形成为暴露于主体100的彼此连接的第二表面和第五表面的三角形棱柱的形状。按照这种方式，根据本示例性实施例，可通过改变线圈组件2000中的线圈部200的磁通量的方向来减少与另一电子组件的干扰。此外，可保持线圈组件的特性并且可显著减小组件安装面积，这有利于电子装置的小型化和高性能。此外，在根据本示例性实施例的线圈组件2000中，可以在主体100的边缘区域中形成屏蔽过孔500，从而防止电磁场集中在主体100的边缘区域上，以更有效地减少磁通量泄漏。第三示例性实施例图6是示意性地示出根据本公开的第三示例性实施例的线圈组件的透视图。图7是示意性地示出根据本公开的第三示例性实施例的线圈组件的主视图。参照图1至图7，根据本示例性实施例的线圈组件3000与根据本公开的第二示例性实施例的线圈组件2000的不同之处在于设置有屏蔽过孔500的结构。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开的第二示例性实施例中的设置有屏蔽过孔500的结构不同的设置有屏蔽过孔500的结构。对于本示例性实施例中的其他构造，可以原样应用第二示例性实施例中的相关构造的描述。参照图6和图7，应用于本示例性实施例的屏蔽过孔500可形成在主体100中而不是主体100的边缘区域中，并与线圈部200分开。在本公开的第二示例性实施例中，由于屏蔽过孔500构成主体100的包括主体100的边缘的表面，因此需要在用于形成主体100的磁性片或磁性复合片上形成用于形成屏蔽过孔的前体材料。然而，应用于本示例性实施例的屏蔽过孔500不构成主体100的包括主体100的边缘的表面。因此，在形成主体100之后，可在主体100中选择性地形成应用于本示例性实施例的屏蔽过孔500。因此，根据本示例性实施例的线圈组件3000的制造工艺可更简化。此外，由于屏蔽过孔500可选择性地形成在主体100的产生磁通量泄漏的位置处，因此根据本公开的线圈组件3000可通过更简单的方法有效地减小磁通量泄漏。第四示例性实施例图8是示意性地示出根据本公开的第四示例性实施例的线圈组件的透视图。图9是示意性地示出根据本公开的第四示例性实施例的线圈组件的主视图。参照图1至图8，根据本示例性实施例的线圈组件4000与根据本公开的第二示例性实施例的线圈组件2000和根据本公开的第三示例性实施例的线圈组件3000的不同之处在于设置有屏蔽过孔500的结构。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开的第二示例性实施例和第三示例性实施例中的设置有屏蔽过孔500的结构不同的设置有屏蔽过孔500的结构。对于本示例性实施例中的其他构造，可以原样应用第二示例性实施例和第三示例性实施例中的相关构造的描述。应用于本示例性实施例的屏蔽过孔500可包括第一屏蔽过孔510和第二屏蔽过孔520，第一屏蔽过孔510形成在主体100的边缘区域中并暴露于主体100的多个表面中的主体100的彼此相交的至少两个表面，第二屏蔽过孔520形成在主体100中而不是主体100的边缘区域中，并与线圈部200分开。可形成多个第一屏蔽过孔510和多个第二屏蔽过孔520。因此，根据本示例性实施例的线圈组件4000可以具有上述第二示例性实施例和第三示例性实施例中的所有优点。也就是说，根据本示例性实施例的线圈组件4000可通过第一屏蔽过孔510防止电磁场集中在主体100的边缘区域上，并且可通过在形成主体100之后选择性地形成第二屏蔽过孔520来有效地防止磁通量泄漏。如上所述，根据本公开的示例性实施例，可减小线圈组件的磁通量泄漏。此外，可减小线圈组件的磁通量泄漏，并且可以改善线圈组件的诸如电感L、品质Q因子等的特性。虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变型。

权利要求：1.一种线圈组件，包括：主体；线圈部，包括嵌在所述主体中的线圈图案，并且具有围绕一个方向缠绕的至少一匝；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的表面上并连接到所述线圈部；以及屏蔽过孔，所述屏蔽过孔的磁导率高于所述主体的磁导率，并在所述主体中沿着所述一个方向延伸。2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽过孔暴露于所述主体的在所述一个方向上彼此背对的两个表面中的至少一个。3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽过孔暴露于所述主体的多个表面中的彼此相交的至少两个表面。4.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽过孔形成为多个，并且多个屏蔽过孔嵌在所述主体中并彼此分开。5.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括嵌在所述主体中的内绝缘层，其中，所述线圈部包括：第一线圈图案和第二线圈图案，分别设置在所述内绝缘层的在所述一个方向上彼此背对的两个表面上；以及连接过孔，穿透所述内绝缘层，以便将所述第一线圈图案和所述第二线圈图案彼此连接。6.根据权利要求5所述的线圈组件，所述线圈组件还包括沿着所述第一线圈图案、所述内绝缘层和所述第二线圈图案的表面形成的绝缘膜。7.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，在所述主体的使所述主体的在所述一个方向上背对的两个表面连接的多个壁表面中，所述线圈部的两端分别暴露于所述主体的彼此背对的两个端表面，并且所述第一外电极和所述第二外电极包括：连接部，设置在所述主体的两个端表面上并连接到所述线圈部；以及延伸部，从所述连接部延伸并且设置在所述主体的在所述一个方向上的背对的两个表面中的一个表面上，所述延伸部彼此分开。8.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈部的两端分别暴露于所述主体的与所述一个方向平行的一个表面，并且所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述主体的所述一个表面上并彼此分开。

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