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【发明授权】用于锂二次电池的负极、包括所述负极的锂二次电池及其制造方法_株式会社LG新能源_201980039436.2 

申请/专利权人:株式会社LG新能源

申请日:2019-09-26

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN112292771B

主分类号:H01M4/13

分类号:H01M4/13;H01M4/134;H01M4/139;H01M4/1395;H01M4/04;H01M10/44;H01M10/052;C23C16/455;H01M10/058

优先权:["20181031 KR 10-2018-0132011"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.14#授权;2022.08.16#专利申请权的转移;2021.02.23#实质审查的生效;2021.01.29#公开

摘要:根据本发明的用于锂二次电池的负极包括:集电器;设置在所述集电器上的负极混合物层;通过原子层沉积AtomicLayerDeposition形成在所述负极混合物层上的锂扩散速率控制层;和设置在所述锂扩散速率控制层上的锂层。本发明提供一种用于对锂二次电池用的负极进行预锂化的方法和一种用于制造包括所述负极的锂二次电池的方法。根据本发明的负极包括位于锂薄膜和负极混合物层之间的锂扩散速率控制层,因此可以在预锂化工艺期间控制锂扩散速率,并且抑制锂的损失或锂的副反应,从而增强循环特性。此外,根据本发明的制造方法,通过藉由原子层沉积形成具有非常小的厚度的锂扩散速率控制层来制造锂二次电池,从而使锂扩散速率控制层中由于其材料特性而引起的电阻增加最小化。

主权项:1.一种用于锂二次电池的负极,包括:集电器;形成在所述集电器上的负极混合物层;通过原子层沉积形成在所述负极混合物层上的锂扩散速率控制层;和形成在所述锂扩散速率控制层上的锂层;其中所述锂扩散速率控制层的厚度为0.1nm以上且小于100nm;其中所述锂扩散速率控制层包括选自Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、Y2O3、MbO、CeO2、SiO2、La2O3、Ln2O3、Lu2O3、PrAlO3、Er2O3、HfAlO、HfSiO、ZrSiO、ZrAlO、HfON、HfSiON、SrTiO3、BaTiO3和钛酸锶钡氧化物中的一种或多种。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社LG新能源 用于锂二次电池的负极、包括所述负极的锂二次电池及其制造方法

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