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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2021-03-29
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN113126441B
主分类号：G03F7/16
分类号：G03F7/16
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开
摘要：本发明提供一种改善光刻前层薄膜吸附水导致光刻缺陷的优化方法，确定晶圆基底上需喷涂的标准SOC涂层的厚度T；在晶圆基底上喷涂C1喷量的第一SOC涂层；之后对第一SOC涂层进行烘烤，形成的第一SOC涂层的厚度为T1；利用溶剂或含氧等离子体对第一SOC涂层进行表面处理；在第一SOC涂层上喷涂C2喷量的第二SOC涂层；之后对第二SOC涂层进行烘烤，形成的第二SOC涂层的厚度为T2，并且使得T＝T1+T2；在第二SOC涂层上涂布抗反射涂层，之后在抗反射涂层上旋涂光刻胶涂层，并通过掩膜版对光刻胶涂层进行曝光、显影以及刻蚀，形成所需图案。本发明减少对光刻以及刻蚀带来的影响。达到节省成本的目的，大大降低了因前层薄膜吸附物质对光刻胶缺陷的影响。
主权项：1.一种改善光刻前层薄膜吸附水导致光刻缺陷的优化方法，其特征在于，至少包括：步骤一、确定晶圆基底上需喷涂的标准SOC涂层的厚度T；在晶圆基底上喷涂C1喷量的第一SOC涂层；之后对所述第一SOC涂层进行烘烤，形成的所述第一SOC涂层的厚度为T1；对所述第一SOC涂层进行烘烤的温度高于对所述标准SOC涂层进行烘烤所需的标准温度；所述晶圆基底上设有无定形硅层，所述第一SOC涂层位于所述无定形硅层上；所述无定形硅层为光刻前层薄膜，并且该光刻前层薄膜为沟槽结构；步骤二、利用溶剂或含氧等离子体对所述第一SOC涂层进行表面处理；对所述第一SOC涂层进行表面处理的方法为晶圆静止或低速旋转时，在所述第一SOC表面喷涂溶剂，溶剂停止喷涂后将晶圆高速旋转，将所述第一SOC表面的溶剂甩干；步骤三、在所述第一SOC涂层上喷涂C2喷量的第二SOC涂层；之后对所述第二SOC涂层进行烘烤，形成的所述第二SOC涂层的厚度为T2，并且使得T=T1+T2；步骤四、在所述第二SOC涂层上涂布抗反射涂层，之后在所述抗反射涂层上旋涂光刻胶涂层，并通过掩膜版对所述光刻胶涂层进行曝光、显影以及刻蚀，形成所需图案。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种改善光刻前层薄膜吸附水导致光刻缺陷的优化方法
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