龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：上海谙邦半导体设备有限公司
申请日：2024-03-25
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN117936376B
主分类号：H01L21/3065
分类号：H01L21/3065;H01L21/027;H01L29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2024.05.28#著录事项变更;2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本申请公开了一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅半导体器件，刻蚀方法包括：在碳化硅衬底上依次形成硬掩膜层以及光刻胶层；以光刻胶层为掩膜对硬掩膜层进行刻蚀，形成开口；由开口对碳化硅衬底进行各向同性刻蚀，形成沟槽，其中，沟槽的深度小于预设目标深度；对光刻胶层进行加热软化，以使光刻胶层在沟槽的侧壁形成第一保护膜层；对沟槽的底部进行各向同性刻蚀，并去除第一保护膜层；比较沟槽的当前深度与预设目标深度之间的大小，若当前深度小于预设目标深度，则返回对光刻胶层进行加热软化，以使光刻胶层在沟槽的侧壁形成第一保护膜层，否则，停止刻蚀。本申请可以获得侧壁垂直并且底部为弧形的沟槽，形成的碳化硅器件具有较高的击穿电压。
主权项：1.一种碳化硅沟槽的刻蚀方法，其特征在于，包括：在碳化硅衬底上依次形成硬掩膜层以及光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀，形成开口；由所述开口对所述碳化硅衬底进行各向同性刻蚀，形成沟槽，其中，所述沟槽的深度小于预设目标深度；对所述光刻胶层进行加热软化，以使所述光刻胶层在所述沟槽的侧壁形成第一保护膜层；对所述沟槽的底部进行所述各向同性刻蚀，并去除所述第一保护膜层；比较所述沟槽的当前深度与所述预设目标深度之间的大小，若所述当前深度小于所述预设目标深度，则返回所述对所述光刻胶层进行加热软化，以使所述光刻胶层在所述沟槽的侧壁形成第一保护膜层，否则，停止刻蚀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海谙邦半导体设备有限公司 一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号