申请/专利权人：政汉电子科技有限公司

申请日：2019-03-28

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN110544649B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：["20180529 TW 107118369"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2019.12.31#实质审查的生效;2019.12.06#公开

摘要：本发明公开一种批次式湿法蚀刻清洗装置，其包括一清洗槽、两上给水槽、一外管线以及一排水帮浦。在所述清洗槽内形成一主槽腔室。在所述主槽腔室内设置有一层流板以将所述主槽腔室区分为一上腔室以及一下腔室。在所述清洗槽上贯穿设置有至少一与所述下腔室相连通的下溢流管。所述两上给水槽设置在所述清洗槽外侧。各所述上给水槽内形成一与所述主槽腔室相连通的给水腔室。在各所述上给水槽上贯穿设置有一上给水管。所述外管线贯穿设置在所述清洗槽上且与所述下腔室相连通。所述排水帮浦设置在所述外管线上。所述清洗装置可节省所使用的去离子水，进而降低清洗晶圆的成本。

主权项：1.一种批次式湿法蚀刻清洗装置，其特征在于，所述批次式湿法蚀刻清洗装置包括：一清洗槽，在所述清洗槽内形成一主槽腔室，在所述主槽腔室内设置有一层流板以将所述主槽腔室区分为一用以收纳晶圆的上腔室以及一下腔室，在所述层流板上贯穿形成有多个穿孔以使所述上腔室及所述下腔室相连通，在所述清洗槽上贯穿设置有至少一下溢流管，所述下溢流管与所述下腔室相连通；两上给水槽，设置在所述清洗槽外侧，各所述上给水槽内形成一与所述主槽腔室相连通的给水腔室，在各所述上给水槽上贯穿设置有一上给水管，所述上给水管与所述给水腔室相连通；一外管线，贯穿设置在所述清洗槽上且与所述下腔室相连通；以及一排水帮浦，设置在所述外管线上，可对所述清洗槽的所述下腔室进行排水；其中，所述批次式湿法蚀刻清洗装置包括二种清洗模式：一向下清洗模式及一向上溢流清洗模式；在所述向下清洗模式时，透过所述上给水管对所述上给水槽的所述给水腔室注入去离子水，并使所述去离子水流入所述清洗槽的所述主槽腔室中，同时开启所述排水帮浦，以对所述主槽腔室之所述上腔室中的所述晶圆进行清洗并同时将使用过的所述去离子水自所述下腔室排除；在所述向上溢流清洗模式时，停止所述上给水管的注水且关闭所述排水帮浦，并且以所述下溢流管对所述清洗槽的所述下腔室注入所述去离子水，并使所述去离子水浸泡所述晶圆，当所述主槽腔室注满所述去离子水后，所述去离子水进一步溢流进入所述上给水槽的所述给水腔室中，最后所述去离子水透过所述上给水管排放到所述批次式湿法蚀刻清洗装置之外。

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