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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2018-12-13
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231247A
主分类号：H01L21/3213
分类号：H01L21/3213;H01L21/321;H01L21/768;H01L21/02
优先权：["20171214 US 62/598,766"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。
主权项：1.一种基板处理方法，包括：将基板中的特征内的金属层氧化以产生氧化的金属层，所述特征衬有阻挡层，所述阻挡层具有在约0.5nm至约10nm的范围内的厚度；将包括所述氧化的金属层的所述基板暴露于金属卤化物以蚀刻所述氧化的金属层的一部分并产生蚀刻残留物；以及将所述基板暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法
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