申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司

申请日：2023-11-02

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN221203160U

主分类号：H10K59/121

分类号：H10K59/121

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权

摘要：本实用新型提供了一种差异化金属氧化物OLED阵列基板结构，包括玻璃基板，第一栅极；第一绝缘层，包括绝缘单元一和绝缘单元二，绝缘单元一设置在第一栅极上，绝缘单元二设置在玻璃基板上；第二金属层，包括第二栅极和第三栅极，第二栅极位于玻璃基板上，第三栅极位于绝缘层单元二上；第二绝缘层，设置有第一通孔，并露出第二栅极的上表面；半导体层，设置在第二绝缘层上，半导体层包括三组半导体单元，分别与三组栅极相对；第一栅极、第二栅极和第三栅极三者对应的膜层结构为背沟道金属氧化物TFT，且三组背沟道金属氧化物TFT结构不同。本实用新型对阵列基板中的不同TFT进行结构上的差异化设置，使得显示面板具备更高的稳定性及更优良的驱动效果。

主权项：1.一种差异化金属氧化物OLED阵列基板结构，其特征在于：包括：玻璃基板；第一金属层，设置在所述玻璃基板上，所述第一金属层包括第一栅极；第一绝缘层，设置在所述第一金属层上，所述第一绝缘层包括绝缘单元一和绝缘单元二，所述绝缘单元一设置在所述第一栅极上，所述绝缘单元二设置在所述玻璃基板上；第二金属层，所述第二金属层包括第二栅极和第三栅极，所述第二栅极位于所述玻璃基板上，所述第三栅极位于所述绝缘层单元二上；第二绝缘层，设置在所述第二金属层上，所述第二绝缘层上设置有第一通孔，所述第一通孔位于所述第二栅极的上方，并露出所述第二栅极的上表面；半导体层，设置在所述第二绝缘层上，所述半导体层包括第一半导体单元、第二半导体单元和第三半导体单元，所述第一半导体单元与所述第一栅极相对应，所述第二半导体单元与所述第二栅极相对应，所述第三半导体单元与第三栅极相对应；第三金属层，设置在所述半导体层上，所述第三金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、第三源极以及第三漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别搭接在所述第一半导体单元的两端；所述第二源极和所述第二漏极分别搭接在所述第二半导体单元的两端，所述第一漏极与所述第二源极相连；所述第三源极和所述第三漏极分别搭接在所述第三半导体单元的两端，且所述第三漏极的另一端还通过第一通孔与所述第二栅极相连；第三绝缘层，设置在所述第三金属层上；第一有机绝缘层，设置在所述第三绝缘层上，所述第一有机绝缘层上开设有第二通孔，所述第二通孔向下贯穿所述第三绝缘层，并露出所述第二漏极上表面；第四金属层，设置在第一有机绝缘层上，所述第四金属层通过第二通孔与所述第二漏极相连；第二有机绝缘层，设置在所述第四金属层上，所述第二有机绝缘层上开设有第三通孔，并露出所述第四金属层上表面；第一电极层，所述第一电极层设置在第二有机绝缘层上，所述第一电极层通过所述第三通孔与所述第四金属层相连；所述第一栅极对应的膜层结构为第一背沟道金属氧化物TFT，所述第二栅极对应的膜层结构为第二背沟道金属氧化物TFT，所述第三栅极对应的膜层结构为第三背沟道金属氧化物TFT，所述第一背沟道金属氧化物TFT、第二背沟道金属氧化物TFT和第三背沟道金属氧化物TFT三者结构不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华映科技(集团)股份有限公司 一种差异化金属氧化物OLED阵列基板结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD