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申请/专利权人：南京邮电大学
申请日：2021-05-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113461594B
主分类号：C07D209/86
分类号：C07D209/86;C09K11/06;H10K50/11;H10K85/60
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.01#公开
摘要：本申请公开了有机发光存储材料及应用该材料的有机双稳态发光二极管存储器，提出了两种有机发光存储材料以及使用该材料的OLED结构的发光存储器，本发明所述的两种有机双稳态发光二极管OBLED发光存储器件具备OLED器件的发光特性、同时还具有有机双稳态器件OBD的存储功能，是一种兼存储与发光功能于一身的多功能OBLED发光存储器件，并且都表现出相同的先低导态再高导态的一次写入多次读取WORM存储行为。在有机电致发光及可视信息和保密存储领域具有巨大的潜在应用价值。而且，本发明所述的OBLED发光存储器件制备工艺简单、成本低廉、OLED发光效果稳定，具有很高的使用及推广价值。
主权项：1.一种有机双稳态发光二极管存储器，其特征在于：所述有机双稳态发光二极管存储器OBLED的器件结构采用有机电致发光二极管OLED器件结构，有机双稳态发光二极管存储器中包括有机层，该有机层既充当发光层同时也充当存储活性层，所述有机层的材料为有机发光存储材料，所述有机发光存储材料的名称为1,4-二咔唑基苯DCB或2,5-二咔唑基-1,4-对苯二甲酸DCTA，结构式如下： DCB DCTA；所述有机双稳态发光二极管存储器为上下叠合的多层结构，所述有机双稳态发光二极管存储器由下至上依次为基片、阳极层、空穴传输层、有机层、电子传输层、电子注入层、阴极层；所述空穴传输层的材料为NPB；所述空穴传输层的厚度为10nm-50nm；所述电子传输层的材料为TPBI；所述电子传输层的厚度为10nm-50nm；所述电子注入层的材料为LiF；所述电子注入层的厚度为0.8nm-1.5nm；所述有机双稳态发光二极管存储器的存储特性表现出相同从低导态到高导态的一次写入多次读取WORM存储行为，存储特性表现出非易失性存储，有机双稳态发光二极管存储器经过开启104s以后，存储开关比保持在1×103-1×105。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 有机发光存储材料及应用该材料的双稳态OLED存储器
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