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【发明授权】一种宽带射频开关架构_川土微电子(深圳)有限公司_201911322108.1 

申请/专利权人:川土微电子(深圳)有限公司

申请日:2019-12-19

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN113014241B

主分类号:H03K17/687

分类号:H03K17/687

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.07#授权;2021.07.30#实质审查的生效;2021.06.22#公开

摘要:本发明提供一种宽带射频开关架构,包括:信号输入端口及两个信号输出端口;两个所述信号输出端口与所述信号输入端口之间分别接有第一隔离模块及第二隔离模块,所述第一隔离模块及所述第二隔离模块为左右对称结构,且均通过电容及芯片打线接地。本发明的一种宽带射频开关架构,通过在隔离模块连接电容及芯片打线到地的方式,提出了一种增强隔离度的射频开关,在增加射频开关隔离度的同时,几乎不增大芯片的插损,具有高隔离度,低插入损耗,可承受高功率的效果。

主权项:1.一种宽带射频开关架构,其特征在于,包括:信号输入端口及两个信号输出端口;两个所述信号输出端口与所述信号输入端口之间分别接有第一隔离模块及第二隔离模块,所述第一隔离模块及所述第二隔离模块为左右对称结构,且均通过电容及芯片打线接地,芯片打线为芯片到外部打线;所述第一隔离模块及所述第二隔离模块均包括多个隔离单元,每个所述隔离单元包括第一晶体管及第二晶体管;所述第一晶体管的漏极作为所述隔离单元的第一管脚,所述第一晶体管的源极作为所述隔离单元的第二管脚,所述第一晶体管的源极还与所述第二晶体管的漏极连接,所述第二晶体管的源极作为所述隔离单元的第三管脚,所述第三管脚通过电容及芯片打线接地;所述第一隔离模块中的第一晶体管的栅极接第一控制信号,第二晶体管的栅极接第二控制信号;所述第二隔离模块中的第一晶体管的栅极接第二控制信号,第二晶体管的栅极接第一控制信号;其中,在隔离模块采用多个所述隔离单元的多级串并结构,当从信号输入端口向信号输出端口方向看,后一级的所述隔离单元的第一管脚与前一级的所述隔离单元的第二管脚串联,使得隔离模块中前后级的所述隔离单元相互串联,使泄露的射频信号尽可能多的导通到地,以及在多个并联到地的支路中,电容和芯片打线电感取值不相同,使得在不同支路取得不同的谐振频率,能够将不同频段的泄露信号导通到地,在尽可能宽的频带范围内都达到良好的隔离度,从而在不增大插入损耗的情况下,实现宽带高隔离。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 川土微电子(深圳)有限公司 一种宽带射频开关架构

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